pam-xiamen coltiva lingotti di cristallo singolo antimonio di gallio (gasb) di alta qualità. abbiamo anche tondo, segato, tagliato e lucidato i wafer gasb e possiamo fornire una qualità di superficie epi-ready. il gasb di cristallo è un composto formato da 6n puri ga e da elemento sb ed è cresciuto mediante il metodo incapsulato czochralski (lec) con epd \u0026 lt; 1000 cm -3. il cristallo gasb ha...
in questo articolo esaminiamo gli sviluppi della produzione di wafer non polari (cioè piano m e piano piano) e semi-polari (cioè piano 20.1) con metodo ammonotermico. vengono descritti il metodo di crescita e i risultati di lucidatura. siamo riusciti a produrre wafer non- e semi-polari da 26 mm × 26 mm. questi wafer possiedono eccezionali proprietà strutturali e ottiche, con densità di dislocazi...
il processo per diminuire la densità di dislocazione in drogato di 3 pollici wafer inp è descritto. il processo di crescita dei cristalli è un czochralsky incapsulato liquido convenzionale (lec) ma sono stati aggiunti schermi termici per ridurre il gradiente termico nel cristallo in crescita. la forma di questi scudi è stata ottimizzata con l'aiuto di simulazioni numeriche di trasferimento di ...
segmenti inas sono cresciuti in cima alle isole Gaas, inizialmente creati da epitassia di gocce su substrato di silicio. abbiamo esplorato sistematicamente lo spazio dei parametri di crescita per la deposizione di inas, identificando le condizioni per la crescita selettiva GaAs e per una crescita puramente assiale. i segmenti assiali inas sono stati formati con le loro pareti laterali ruotate di 3...
nanostrutture ge sub-monostrato altamente tensioattive GASB sono stati coltivati mediante epitassia a fascio molecolare e studiati mediante microscopia a effetto tunnel a scansione ultra-sottovuoto. vengono raggiunti e studiati quattro diversi tassi di copertura di nanostrutture ge su gasb. si trova la crescita di ge su gasb segue la modalità di crescita 2d. il reticolo cristallino del sub-monos...
questo articolo propone una nuova tridimensionale (3d) fotolitografia tecnologia per un processo di micropatterning ad alta risoluzione su un substrato di fibra. Viene anche presentata una breve rassegna sulla tecnologia litografica della superficie non planare. la tecnologia proposta comprende principalmente la microfabbricazione del modulo di esposizione 3d e la deposizione a spruzzo di film res...
I singoli cristalli di GaSb drogati con Te sono studiati misurando gli effetti Hall, gli infrarossi (IR) e gli spettri di fotoluminescenza (PL). Si è trovato che il GaSb di tipo n con trasmittanza IR può essere ottenuto fino al 60% dal controllo critico della concentrazione del Te-doping e della compensazione elettrica. La concentrazione dei difetti associati all'accettore nativo è apparenteme...
In questo documento, utilizzando un simulatore di dispositivo elettrotermico tridimensionale completamente accoppiato, studiamo il meccanismo di degrado dell'efficienza ad alto funzionamento corrente in planari sol un Diodi emettitori di luce basati su N (GUIDATO). In particolare, è stato dimostrato il miglioramento del degrado dell'efficienza utilizzando substrati GaN conduttivi più spess...
informazioni sui contatti
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
