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InGaN sic wafer Wafer epitassiale 4h-sic gan epitassia substrato gan wafer epitassiali substrato gasb struttura epitassiale a diodi laser wafer al germanio nitruro di gallio

  • celle solari Gaas a quattro giunzioni a connessione diretta *

    2018-Jun-19

    www.semiconductorwafers.net la tecnologia di legame diretto al wafer è in grado di integrare due wafer uniformi e quindi può essere utilizzata nella fabbricazione di celle solari multigiunzione iii-v con disallineamento del reticolo. al fine di interconnettere monoliticamente tra le sottocoppe gainp / gaas e ingaasp / ingaas, l'eterogiunzione Gaas / Inp bonded deve essere una giunzione ohmica alta...

    guadagno su gaas GaAs inp
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