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Antenne fotoconduttive altamente efficienti che utilizzano strati di GaAs cresciuti a bassa temperatura ottimali e substrati di Si
Imaging non distruttivo senza contatto della densità di drogaggio e della resistività elettrica dei wafer di Si semiconduttore mediante carrierografia lock-in
Teoria e pratica della crescita di SiC su Si e sue applicazioni a film semiconduttori ad ampio gap

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InGaN sic wafer Wafer epitassiale 4h-sic gan epitassia substrato gan wafer epitassiali substrato gasb struttura epitassiale a diodi laser wafer al germanio nitruro di gallio

Antenne fotoconduttive altamente efficienti che utilizzano strati di GaAs cresciuti a bassa temperatura ottimali e substrati di Si

2019-Mar-05

Abbiamo migliorato l'efficienza delle antenne fotoconduttive (PCA) utilizzando GaAs cresciuto a bassa temperatura (LT-GaAs). Abbiamo scoperto che le proprietà fisiche degli strati fotoconduttivi LT-GaAs influenzano notevolmente le caratteristiche di generazione e rilevamento delle onde terahertz (THz). Nella generazione THz, l'elevata mobilità dei portatori fotoeccitati e la presenza di alcuni clu...

Substrato GaAs strati di GaAs a bassa temperatura LT-GaAs
Imaging non distruttivo senza contatto della densità di drogaggio e della resistività elettrica dei wafer di Si semiconduttore mediante carrierografia lock-in

2019-Mar-12

Un metodo di imaging non distruttivo senza contatto per la concentrazione di drogante risolta spazialmente, [2.2] N d, e la resistività elettrica, ρ, di wafer di silicio di tipo n e pviene presentato l'utilizzo di immagini carrierografiche lock-in a varie intensità di irradiazione laser. Le informazioni sull'ampiezza e sulla fase provenienti da siti di wafer con resistività nota sono state impiega...

wafer semiconduttore wafer di silicio di tipo p semiconduttore
Teoria e pratica della crescita di SiC su Si e sue applicazioni a film semiconduttori ad ampio gap

2019-Mar-18

Vengono esaminati i recenti progressi nella crescita dei film epitassiali di SiC su Si. Vengono discussi i metodi classici di base attualmente utilizzati per la crescita dei film di SiC e vengono esplorati i loro vantaggi e svantaggi. L'idea di base e il background teorico per un nuovo metodo di sintesi di film epitassiali di SiCsu Si sono dati. Si dimostrerà che il nuovo metodo è significativamen...

silicio sic Strati epitassiali SiC film a semiconduttore

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