pam-xiamen coltiva lingotti di cristallo singolo antimonio di gallio (gasb) di alta qualità. abbiamo anche tondo, segato, tagliato e lucidato i wafer gasb e possiamo fornire una qualità di superficie epi-ready. il gasb di cristallo è un composto formato da 6n puri ga e da elemento sb ed è cresciuto mediante il metodo incapsulato czochralski (lec) con epd \u0026 lt; 1000 cm -3. il cristallo gasb ha...
nanostrutture ge sub-monostrato altamente tensioattive GASB sono stati coltivati mediante epitassia a fascio molecolare e studiati mediante microscopia a effetto tunnel a scansione ultra-sottovuoto. vengono raggiunti e studiati quattro diversi tassi di copertura di nanostrutture ge su gasb. si trova la crescita di ge su gasb segue la modalità di crescita 2d. il reticolo cristallino del sub-monos...
I singoli cristalli di GaSb drogati con Te sono studiati misurando gli effetti Hall, gli infrarossi (IR) e gli spettri di fotoluminescenza (PL). Si è trovato che il GaSb di tipo n con trasmittanza IR può essere ottenuto fino al 60% dal controllo critico della concentrazione del Te-doping e della compensazione elettrica. La concentrazione dei difetti associati all'accettore nativo è apparenteme...
Esperimenti ortogonali sulla crescita di pellicole GaSb Substrato GaAs sono stati progettati ed eseguiti utilizzando un sistema di deposizione chimica da fase vapore in metallo-organico a bassa pressione (LP-MOCVD). Le cristallinità e le microstrutture dei film prodotti sono state analizzate comparativamente per ottenere i parametri di crescita ottimali. È stato dimostrato che il film sottile GaSb...
Vengono esaminati i recenti progressi nella crescita dei film epitassiali di SiC su Si. Vengono discussi i metodi classici di base attualmente utilizzati per la crescita dei film di SiC e vengono esplorati i loro vantaggi e svantaggi. L'idea di base e il background teorico per un nuovo metodo di sintesi di film epitassiali di SiCsu Si sono dati. Si dimostrerà che il nuovo metodo è significativamen...
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