presentiamo un nuovo processo per l'integrazione germanio con wafer silicon-on-insulator (soi). il germanio viene impiantato in soi che viene poi ossidato, intrappolando il germanio tra i due strati di ossido (l'ossido cresciuto e l'ossido sepolto). con un attento controllo delle condizioni di impianto e di ossidazione, questo processo crea uno strato sottile (gli esperimenti correnti indicano fin...
un algan micromacchinato / gan transistor ad alta elettrone-mobilità ( HEMT ) su un substrato si sono studiati strati di dissipazione del calore a diamante simile a carbonio / titanio (dlc / ti). conduttività termica superiore e coefficiente di espansione termica simile a quella di Gan abilitato dlc / ti per dissipare in modo efficiente il calore dell'arco di potenza del gan attraverso il substrat...
una microscopia elettronica a trasmissione (tem) ha analizzato una inas / si eterogiunzione formata da un metodo di legame a wafer bagnato con una temperatura di ricottura di 350 ° c. si è osservato che inas e si erano incollati in modo uniforme senza vuoti in un campo visivo di 2 μm in un'immagine a campo chiaro. un'immagine tematica ad alta risoluzione ha rivelato che, tra ilInase i...
i recenti progressi nella crescita su si di epitaxial sic film sono presi in considerazione. vengono discussi i metodi classici di base attualmente utilizzati per la crescita dei film sic e vengono esaminati i loro vantaggi e svantaggi. vengono dati l'idea di base e lo sfondo teorico per un nuovo metodo di sintesi di film epitaxial sic su si. verrà mostrato che il nuovo metodo è significativam...
è ancora una grande sfida per i dispositivi basati su semiconduttori ottenere un grande effetto di magnetoresistenza (mr) sotto un basso campo magnetico a temperatura ambiente. in questo documento, gli effetti della fotoindotta in diverse intensità di illuminazione a temperatura ambiente vengono analizzati in a arseniuro di gallio semi-isolante ( si-GaAs ) basato su ag / si-gaas / ag. il dispositi...
segmenti inas sono cresciuti in cima alle isole Gaas, inizialmente creati da epitassia di gocce su substrato di silicio. abbiamo esplorato sistematicamente lo spazio dei parametri di crescita per la deposizione di inas, identificando le condizioni per la crescita selettiva GaAs e per una crescita puramente assiale. i segmenti assiali inas sono stati formati con le loro pareti laterali ruotate di 3...
la densità e l'intensità di dispersione della luce dell'ossigeno precipita dentro cz silicio i cristalli sono misurati dalla tomografia a diffusione di luce. i dati numerici chiariti attraverso le misurazioni sono discussi in relazione alla quantità di ossigeno precipitato. i risultati ottenuti qui corrispondono bene con l'analisi teorica che l'ossigeno precipita causando la disper...
L'irradiazione del fascio di ioni è stata esaminata come metodo per la creazione di strutture di pilastri e conici a nanoscala, ma ha l'inconveniente di posizionare le nanostrutture in modo non accurato. Riportiamo un metodo per la creazione e la templatura della scala nanometrica InAs picchi mediante irradiazione a fascio ionico focalizzato (FIB) di entrambi i film InAs omoepitassiali e I...
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