Usando la deposizione di vapore chimico migliorata al plasma (PECVD) a 13,56 MHz, uno strato di seme viene fabbricato nella fase di crescita iniziale del microcristallino idrogenato silicio germanio (μc-Si1-xGex: H) i-layer. Gli effetti dei processi di semina sulla crescita di μc-Si1-xGex: H i-layers e le prestazioni di μc-Si1-xGex: H p-i-n celle solari a singola giunzione sono investigati Applicando questo metodo di semina, la cella solare μc-Si1-xGex: H mostra un miglioramento significativo della densità di corrente di corto circuito (Jsc) e del fattore di riempimento (FF) con una prestazione accettabile di risposta blu come una cella solare μc-Si: H anche quando il contenuto Ge x aumenta fino a 0,3. Infine, si ottiene un'efficienza migliorata del 7,05% per la cella solare μc-Si0.7Ge0.3: H.

fonte: iopscience

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