nell'ultimo decennio, i composti iii-n hanno attratto molto interesse a causa delle loro applicazioni nell'optoelettronica blu, viola e ultravioletta. la maggior parte dei dispositivi e della ricerca usano zaffiro come substrato per l'epitassia dei nitruri. tuttavia, queste epi-strutture contengono una densità di dislocazione molto elevata indotta dalla mancata corrispondenza del reticolo del 16% ...
pam-xiamen coltiva lingotti di cristallo singolo antimonio di gallio (gasb) di alta qualità. abbiamo anche tondo, segato, tagliato e lucidato i wafer gasb e possiamo fornire una qualità di superficie epi-ready. il gasb di cristallo è un composto formato da 6n puri ga e da elemento sb ed è cresciuto mediante il metodo incapsulato czochralski (lec) con epd \u0026 lt; 1000 cm -3. il cristallo gasb ha...
in questo articolo esaminiamo gli sviluppi della produzione di wafer non polari (cioè piano m e piano piano) e semi-polari (cioè piano 20.1) con metodo ammonotermico. vengono descritti il metodo di crescita e i risultati di lucidatura. siamo riusciti a produrre wafer non- e semi-polari da 26 mm × 26 mm. questi wafer possiedono eccezionali proprietà strutturali e ottiche, con densità di dislocazi...
abbiamo studiato i livelli di energia di transizione dei difetti di vacanza nel nitruro di gallio mediante un approccio di teoria funzionale della densità ibrida (dft). mostriamo che, in contrasto con le previsioni di un recente studio sul livello di dft puramente locale, l'inclusione di uno scambio schermato stabilizza lo stato di carica tripla positiva dell'azoto vacante per energie fermi vicino...
www.semiconductorwafers.net la tecnologia di legame diretto al wafer è in grado di integrare due wafer uniformi e quindi può essere utilizzata nella fabbricazione di celle solari multigiunzione iii-v con disallineamento del reticolo. al fine di interconnettere monoliticamente tra le sottocoppe gainp / gaas e ingaasp / ingaas, l'eterogiunzione Gaas / Inp bonded deve essere una giunzione ohmica alta...
un algan micromacchinato / gan transistor ad alta elettrone-mobilità ( HEMT ) su un substrato si sono studiati strati di dissipazione del calore a diamante simile a carbonio / titanio (dlc / ti). conduttività termica superiore e coefficiente di espansione termica simile a quella di Gan abilitato dlc / ti per dissipare in modo efficiente il calore dell'arco di potenza del gan attraverso il substrat...
la condizione di crescita del sottile pesantemente drogato con mg Gan strato di capping e il suo effetto sulla formazione di contatto ohmico di tipo p gan sono stati studiati. è confermato che l'eccessivo dosaggio di mg può effettivamente migliorare il contatto ni / au con p- Gan dopo ricottura a 550 ° c. quando il rapporto di portata tra le fonti di gas mg e g è del 6,4% e la larghezza dello stra...
è ancora una grande sfida per i dispositivi basati su semiconduttori ottenere un grande effetto di magnetoresistenza (mr) sotto un basso campo magnetico a temperatura ambiente. in questo documento, gli effetti della fotoindotta in diverse intensità di illuminazione a temperatura ambiente vengono analizzati in a arseniuro di gallio semi-isolante ( si-GaAs ) basato su ag / si-gaas / ag. il dispositi...
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