nell'ultimo decennio, i composti iii-n hanno attratto molto interesse a causa delle loro applicazioni nell'optoelettronica blu, viola e ultravioletta. la maggior parte dei dispositivi e della ricerca usano zaffiro come substrato per l'epitassia dei nitruri. tuttavia, queste epi-strutture contengono una densità di dislocazione molto elevata indotta dalla mancata corrispondenza del reticolo del 16% tra Gan e zaffiro. nel nostro laboratorio, coltiviamo singoli cristalli di gas ad una elevata pressione idrostatica di 10 kbar di azoto. questi cristalli hanno una densità di dislocazione ultra bassa e sono usati con successo per la costruzione di diodi laser viola. questo lavoro presenta dati sperimentali di diffrattometria a raggi X ad alta risoluzione e fotoluminescenza. questo lavoro consiste di tre parti: (i) confronto tra substrati gan e modelli gan / zaffiro; (ii) influenza di Algan strati su inchini di campioni; (iii) microstruttura di pozzi quantici multipli ingan / gan .

soource: iopscience

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