un algan micromacchinato / gan transistor ad alta elettrone-mobilità ( HEMT ) su un substrato si sono studiati strati di dissipazione del calore a diamante simile a carbonio / titanio (dlc / ti). conduttività termica superiore e coefficiente di espansione termica simile a quella di Gan abilitato dlc / ti per dissipare in modo efficiente il calore dell'arco di potenza del gan attraverso il substrato si attraverso i fori.

questo orlo con design dlc ha anche mantenuto una densità di corrente stabile in condizioni di flessione (strappo: 0,01%). l'imaging termografico a infrarossi ha mostrato che la resistenza termica dello strato di orlo di potenza multi-dito standard era di 13,6 k / w e migliorava a 5,3 k / w a causa del processo di microlavorazione con uno strato composito dlc / ti sul retro. quindi, lo strato di dissipazione del calore dlc / ti proposto ha realizzato un'efficiente gestione termica nei gan.

( fonte: iopscience )

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