presentiamo un nuovo processo per l'integrazione germanio con wafer silicon-on-insulator (soi). il germanio viene impiantato in soi che viene poi ossidato, intrappolando il germanio tra i due strati di ossido (l'ossido cresciuto e l'ossido sepolto). con un attento controllo delle condizioni di impianto e di ossidazione, questo processo crea uno strato sottile (gli esperimenti correnti indicano fin...
xiamen powerway advanced material co., ltd., un fornitore leader di servizi epi per la crescita di wafer laser basati su gaas e altri prodotti e servizi correlati ha annunciato che la nuova disponibilità di size 3 \"è in produzione di massa nel 2017. questo nuovo prodotto rappresenta un naturale dipendenza da pam-Xiamen La linea di prodotti. dr. shaka, ha dichiarato, \"siamo lieti di offrire ai no...
materiale avanzato xiamen powerwayco., ltd., un fornitore leader di struttura epitassiale a diodi laser e altroprodotti e servizi correlati hanno annunciato la nuova disponibilità di taglia 3 \" è in produzione di massa nel 2017. questo nuovo prodotto rappresenta un naturaledipendenza da pam-Xiamen La linea di prodotti. dr. shaka, disse: \"siamo contenti dioffrire una struttura epitassiale a ...
array di wafer-scala di pb ordinato (zr0.2ti0.8) o3 nanodischi e nanorili sono stati fabbricati sull'intera area (10 mm × 10 mm) dell'elettrodo di fondo srruo3 su un substrato srtio3 monocristallino utilizzando la litografia dell'interferenza laser (lil) processo combinato con deposizione laser pulsata. la forma e le dimensioni delle nanostrutture sono state controllate dalla quantità di pzt depos...
in questo articolo esaminiamo gli sviluppi della produzione di wafer non polari (cioè piano m e piano piano) e semi-polari (cioè piano 20.1) con metodo ammonotermico. vengono descritti il metodo di crescita e i risultati di lucidatura. siamo riusciti a produrre wafer non- e semi-polari da 26 mm × 26 mm. questi wafer possiedono eccezionali proprietà strutturali e ottiche, con densità di dislocazi...
pam-xiamen coltiva lingotti di cristallo singolo antimonio di gallio (gasb) di alta qualità. abbiamo anche tondo, segato, tagliato e lucidato i wafer gasb e possiamo fornire una qualità di superficie epi-ready. il gasb di cristallo è un composto formato da 6n puri ga e da elemento sb ed è cresciuto mediante il metodo incapsulato czochralski (lec) con epd \u0026 lt; 1000 cm -3. il cristallo gasb ha...
uno strato di tappatura di grafite è stato valutato per proteggere la superficie di wafer epitassiali 4h-sic modellati e impiantati selettivamente durante la ricottura post-impianto. Il fotoresistivo az-5214e è stato centrifugato e cotto sotto vuoto a temperature comprese tra 750 e 850 ° c per formare un rivestimento continuo su superfici planari e mesa-incise con caratteristiche fino a 2 μm di al...
nell'ultimo decennio, i composti iii-n hanno attratto molto interesse a causa delle loro applicazioni nell'optoelettronica blu, viola e ultravioletta. la maggior parte dei dispositivi e della ricerca usano zaffiro come substrato per l'epitassia dei nitruri. tuttavia, queste epi-strutture contengono una densità di dislocazione molto elevata indotta dalla mancata corrispondenza del reticolo del 16% ...
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