Sebbene la crescita epitassiale dei film di Si su entrambe le superfici del wafer di silicio (epi-Si/Si-wafer/epi-Si) possa essere realizzata in fonderia mediante il montaggio di determinate quantità di wafer di silicio in una barca in attrezzature commerciali specializzate per la deposizione chimica da vapore ( s-CVD), per la sua controparte epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC, non è né facilmente realizzabile in s-CVD, né è facilmente ottenibile in apparecchiature convenzionali per la deposizione chimica da vapore (c-CVD) generalmente utilizzate per la crescita di 3C-SiC su singola superficie di wafer di silicio (epi- SiC/Si-wafer). Poiché la crescita di epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC in una corsa è più efficiente ed è prevista, in questo lavoro, abbiamo dimostrato un metodo facile per la crescita di epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC in c-CVD. Il wafer di Si è stato lucidato su entrambi i lati e montato in modalità sospensione sul suscettore nella camera c-CVD. È stato riscontrato che i film omogenei 3C-SiC(100) sono stati coltivati ​​eteroepitassialmente su entrambe le superfici del wafer Si(100) sospeso contemporaneamente. Le proprietà strutturali ed elettriche dei film 3C-SiC ottenuti su entrambe le superfici sono state studiate mediante misurazioni SEM, XRD, Raman e JV. I risultati hanno mostrato che ogni pellicola era uniforme e continua, con la stessa tendenza di lieve degradazione dalla regione interna a quella esterna del wafer. Ciò ha indicato un possibile modo per produrre in serie film 3C-SiC di alta qualità su wafer di Siin una corsa in c-CVD per le potenziali applicazioni come sensori, con principio di funzionamento basato sulla differenza di caduta di tensione di due diodi back-to-back su epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC, o crescita di grafene da epi- Modelli SiC/Si-wafer/epi-SiC.

Fonte: IOPscience

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