Attualmente sono in fase di sviluppo dispositivi e circuiti elettronici a semiconduttore a base di carburo di silicio (sic)

per l'uso in condizioni di alta temperatura, alta potenza e alta radiazione in cui i semiconduttori convenzionali

non può eseguire adeguatamente. capacità del carburo di silicio di funzionare in condizioni così estreme

si prevede che consentirà miglioramenti significativi a una vasta gamma di applicazioni e sistemi.

questi vanno dalla commutazione ad alta tensione notevolmente migliorata per il risparmio energetico nell'energia elettrica pubblica

la distribuzione e il motore elettrico guidano verso un'elettronica a microonde più potente per radar e comunicazioni

ai sensori e ai comandi per la combustione più pulita di aerei a reazione ed automobile a minor consumo di carburante

motori. nella particolare area dei dispositivi di potenza, le valutazioni teoriche hanno indicato che sic

i raddrizzatori di potenza e i diodi a diodi funzionerebbero su tensioni e campi di temperatura più elevati, hanno

caratteristiche di commutazione superiori, eppure hanno dimensioni di morire quasi 20 volte più piccole di quelle corrispondenti

dispositivi basati su silicio. tuttavia, questi enormi vantaggi teorici devono ancora essere ampiamente

realizzato in dispositivi sic commercialmente disponibili, principalmente a causa del fatto che sic è relativamente immaturo

la crescita dei cristalli e le tecnologie di fabbricazione dei dispositivi non sono ancora sufficientemente sviluppate nella misura richiesta

per l'integrazione affidabile nella maggior parte dei sistemi elettronici.

questo capitolo esamina brevemente la tecnologia elettronica dei semiconduttori sic. in particolare, le differenze

(sia buoni che cattivi) tra la tecnologia elettronica sic e la nota tecnologia del silicio vlsi

sono evidenziati. i benefici prestazionali proiettati dall'elettronica sic sono evidenziati per molti su larga scala

applicazioni. Crescita dei cristalli chiave e problemi di fabbricazione dei dispositivi che attualmente limitano le prestazioni e

vengono identificate capacità di elettronica sicu- ra ad alta temperatura e alta potenza.