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2-23.mensità della microprocessore

2. definizione delle proprietà dimensionali, terminologia e metodi del wafer al carburo di silicio

2-23.mensità della microprocessore

2018-01-08

un micropipe, detto anche \"micropore\", \"microtubo\", \"difetto capillare\" o \"difetto stenopeico\", è un difetto cristallografico in un substrato monocristallino. È un parametro importante per i produttori di substrati di carburo di silicio (sic) che sono utilizzati in una varietà di settori come i dispositivi a semiconduttore di potenza per veicoli e dispositivi di comunicazione ad alta frequenza.


tuttavia, durante la produzione di questi materiali, il cristallo subisce sollecitazioni interne ed esterne causando la crescita di difetti o dislocazioni all'interno del reticolo atomico.


una dislocazione della vite è una dislocazione comune che trasforma i successivi piani atomici all'interno di un reticolo cristallino nella forma di un'elica. una volta che una lussazione della vite si propaga attraverso la massa di un campione durante il processo di crescita del wafer, si forma una micropipe. la presenza di un'alta densità di micropipette all'interno di un wafer determinerà una perdita di resa nel processo di fabbricazione del dispositivo.


micropipes e dislocazioni di viti in strati epitassiali sono normalmente derivati ​​dai substrati su cui viene eseguita l'epitassia. le micropipette sono considerate come dislocazioni di vite a nucleo vuoto con grande energia di deformazione (cioè hanno un vettore di grandi hamburger); seguono la direzione di crescita (asse C) in boules e substrati di carburo di silicio che si propagano negli strati epitassiali depositati.


i fattori che influenzano la formazione di micropipes (e altri difetti) sono parametri di crescita quali temperatura, sovrasaturazione, stechiometria fase vapore, impurità e la polarità della superficie del cristallo di semi.


la densità della micropipe (mpd) è un parametro cruciale per i substrati di carburo di silicio (sic) che determina la qualità, la stabilità e la resa dei dispositivi a semiconduttore costruiti su questi substrati. l'importanza di mpd è sottolineata dal fatto che tutte le specifiche esistenti per i substrati 6h e 4h sic hanno stabilito dei limiti superiori.

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