xiamen powerway offre insb wafer - indium antimonide che sono cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come EPI-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).
xiamen powerway offre insb wafer - indium antimonide che sono cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come EPI-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).
l'indio antimonide (insb) è un composto cristallino costituito dagli elementi indio (in) e antimonio (sb). si tratta di un materiale semiconduttore a gap ridotto del gruppo iii-v utilizzato nei rivelatori a infrarossi, incluse termocamere, sistemi flir, sistemi di guida missilistica a raggi infrarossi e nell'astronomia a infrarossi. i rivelatori di antimonio di indio sono sensibili tra le lunghezze d'onda 1-5 μm. l'indio antimonide era un rivelatore molto comune nei vecchi sistemi di imaging termico a scansione singola rilevati meccanicamente. un'altra applicazione è come una fonte di radiazione terahertz in quanto è un forte emettitore di foto-dember.
| specifiche di wafer | |
| articolo | specificazioni |
| diametro del wafer | 2" 50,5 ± 0,5 millimetri 3" 76,2 ± 0,4 millimetri 4" 1000,0 ± 0,5 millimetri |
| orientamento cristallino | 2" (111) aorb ± 0.1 ° 3" (111) aorb ± 0.1 ° 4" (111) aorb ± 0.1 ° |
| spessore | 2" 625 ± 25um 3 "800or900 ± 25um 4" 25um 1000 ± |
| lunghezza piatta primaria | 2" 16 ± 2mm 3" 22 ± 2mm 4" 32,5 ± 2,5 millimetri |
| lunghezza piatta secondaria | 2" 8 ± 1mm 3" 11 ± 1mm 4" 18 ± 1mm |
| finitura superficiale | p / e, p / p |
| pacchetto | contenitore singolo wafer pronto per epi o vassoio cf |
| specifiche elettriche e antidoping | |||||
| tipo di conduzione | tipo n | tipo n | tipo n | tipo n | tipo p |
| drogante | non drogato | tellurio | basso tellurio | alto tellurio | genmanium |
| e.d.p cm -2 | 2 "3" 4" ≤ 50 | 2" ≤ 100 | |||
| mobilità cm² v -1 S -1 | ≥ 4 * 105 | ≥ 2.5 * 10 4 | ≥ 2.5 * 105 | non specificato | 8000-4000 |
| concentrazione portante cm -3 | 5 * 10 13 -3 * 10 14 | ( 1-7 ) * 10 17 | 4 * 10 14 -2 * 10 15 | ≥ 1 * 10 18 | 5 * 10 14 -3 * 10 15 |
xiamen powerway offre inp wafer - indio fosfuro cresciuti con lec (liquido incapsulato czochralski) o vgf (congelamento gradiente verticale) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o ( 100).
xiamen powerway offre inas wafer - arseniuro di indio cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).
Xiamen powerway offre gap wafer - fosfuro di gallio cresciuto da lec (liquido czochralski incapsulato) come grado epi-ready o meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).
xiamen powerway offre wafer gasb - gallio antimonide cresciuto da lec (czochralski liquido incapsulato) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100)
Xiamen powerway offre gap wafer - fosfuro di gallio cresciuto da lec (liquido czochralski incapsulato) come grado epi-ready o meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).
i nuclei di nitruro di gallio (gan) (transistori ad alta mobilità elettronica) sono la prossima generazione della tecnologia dei transistor di potenza RF. Grazie alla tecnologia gan, pam-xiamen ora offre wafer algan / gan hemt epi su zaffiro o silicio e algan / gan su modello zaffiro .
pam-xiamen offre wafer fittizio / wafer di test / wafer di monitoraggio
pam offre materiali semiconduttori, wafer al germanio monocristallino (ge) cresciuto da vgf / lec
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