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wafer gasb wafer gasb

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xiamen powerway offre wafer gasb - gallio antimonide cresciuto da lec (czochralski liquido incapsulato) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100)

  • Dettagli del prodotto

xiamen powerway offre wafer a base di gas - antimonide di gallio che viene coltivato da lec (czochralski incapsulato liquido) come EPI-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).


il gallio antimonide (gasb) è un composto semiconduttore di gallio e antimonio della famiglia iii-v. ha una costante reticolare di circa 0,61 nm. gasb può essere utilizzato per i rivelatori a infrarossi, LED e transistor a infrarossi e transistor e sistemi termofotovoltaici.


specifiche di wafer
articolo specificazioni
diametro del wafer 2" 50,5 ± 0,5 millimetri
3" 76,2 ± 0,4 millimetri
4" 1000,0 ± 0,5 millimetri
orientamento cristallino (100) ± 0.1 °
spessore 2" 500 ± 25um
3 "625 ± 25um
4" 25um 1000 ±
lunghezza piatta primaria 2" 16 ± 2mm
3" 22 ± 2mm
4" 32,5 ± 2,5 millimetri
lunghezza piatta secondaria 2" 8 ± 1mm
3" 11 ± 1mm
4" 18 ± 1mm
finitura superficiale p / e, p / p
pacchetto contenitore singolo wafer pronto per epi o vassoio cf


specifiche elettriche e antidoping
tipo di conduzione tipo p tipo p tipo n tipo n tipo n
drogante non drogato zinco tellurio basso tellurio alto tellurio
e.d.p cm -2 2" 2000
3"
5000
2" 2000
3"
5000
2" , 3" 1000
4"
2000
2" 1000
3" , 4"
2000
2, "3", 4" 500
mobilità cm² v -1 S -1 ≥500 450-200 3500-2000 3500-2000 3500-2000
concentrazione portante cm -3 2 * 10 17 1 * 10 18 ( 91-900 ) * 10 17 2 * 10 17 5 * 10 17




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soggetto : wafer gasb

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