riguardo a noi

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prima del 1990, siamo dichiarati centro di ricerca sulla fisica della materia condensata di proprietà. nel 1990, centro lanciato Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd (PAM-XIAMEN), ora è un produttore leader di materiali semiconduttori composti in Cina.


PAM-XIAMEN sviluppa avanzate tecnologie di crescita dei cristalli e di epitassia, spaziano dalla prima generazione di wafer al germanio, all'arseniuro di gallio di seconda generazione con crescita del substrato ed epitassia su materiali semiconduttori di tipo n drogati al silicio iii-v basati su ga, al, in, as e p cresciuto da mbe o mocvd, fino alla terza generazione: carburo di silicio e nitruro di gallio per applicazione di dispositivi a led e di potenza.


la qualità è la nostra prima priorità. PAM-XIAMEN è stato iso9001: 2008 certificato e premiato dall'amministrazione generale della Cina per la supervisione della qualità, l'ispezione e la quarantena. noi possediamo e condividiamo quattro fabbriche moderne, che possono fornire una gamma piuttosto ampia di prodotti qualificati per soddisfare le diverse esigenze dei nostri clienti.



storia di PAM-XIAMEN


prima 1990


siamo dichiarati centro di ricerca sulla fisica della materia condensata di proprietà


anno 1990


Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd (PAM-XIAMEN) fondato. PAM-XIAMEN sviluppa tecnologie avanzate di crescita dei cristalli e di epitassia, processi di produzione, substrati ingegnerizzati e dispositivi a semiconduttore.


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anno 2001


PAM-XIAMEN ha stabilito una linea di produzione di materiali semiconduttori: materiale germanio e wafer.


anno 2004


PAM-XIAMEN ha avviato la ricerca e lo sviluppo di materiale in carburo di silicio. dopo tre anni, la società ha costituito una linea di produzione per la produzione di substrati in carburo di silicio del politipo 4h e 6h in diversi gradi di qualità per ricercatori e produttori industriali, che si applica a dispositivi epitassiali, dispositivi di alimentazione, dispositivi ad alta temperatura e dispositivi optoelettronici.


anno 2007


PAM-XIAMEN sviluppa e produce substrati semiconduttori composti - materiale di arseniuro di gallio e fornisce un servizio epi wafer.


anno 2009


PAM-XIAMEN ha stabilito la tecnologia di produzione del materiale di nitruro di gallio insieme ai wafer epitassiali.


anno 2011


materiale commerciale cdznte sono sulla produzione di massa, che è un nuovo semiconduttore, che consente di convertire efficacemente la radiazione in elettrone, è principalmente utilizzato nel substrato di epitassia a film sottile a infrarossi, rilevamento a raggi X e γ, modulazione ottica laser, alta- celle solari ad alte prestazioni e altri campi high-tech.




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