xiamen powerway offre inp wafer - indio fosfuro cresciuti con lec (liquido incapsulato czochralski) o vgf (congelamento gradiente verticale) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o ( 100).
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il fosfuro di indio (inp) è un semiconduttore binario composto da indio e fosforo. ha una struttura cristallina cubica centrata sul viso ("blenda di zinco"), identica a quella di Gaas e la maggior parte dei semiconduttori iii-v. Il fosfuro di anidride può essere preparato dalla reazione di fosforo bianco e ioduro di indio [chiarificazione necessaria] a 400 ° c., [5] anche per combinazione diretta degli elementi purificati ad alta temperatura e pressione, o per decomposizione termica di una miscela di un composto trialchil indio e fosfuro. inp è utilizzato nell'elettronica ad alta potenza e ad alta frequenza [citazione necessaria] a causa della sua superiore velocità di elettroni rispetto ai più comuni silicio semiconduttori e arseniuro di gallio.
| specifiche di wafer | |
| articolo | specificazioni |
| diametro del wafer | 50,5 ± 0,4 millimetri |
| orientamento cristallino | (100) ± 0.1 ° |
| spessore | 350 ± 25um / 500 ± 25um |
| lunghezza piatta primaria | 16 ± 2mm |
| lunghezza piatta secondaria | 8 ± 1mm |
| finitura superficiale | p / e, p / p |
| pacchetto | contenitore singolo wafer pronto per epi o vassoio cf |
| specifiche elettriche e antidoping | ||||||
| tipo di conduzione | tipo n | tipo n | tipo n | tipo n | tipo p | tipo p |
| drogante | non drogato | ferro | lattina | zolfo | zinco | zinco basso |
| e.d.p cm -2 | ≤ 5000 | ≤ 5000 | ≤ 50000 | ≤ 1000 | ≤ 1000 | ≤ 5000 |
| mobilità cm² v -1 S -1 | ≥ 4200 | ≥ 1000 | 2500-750 | 2000-1000 | non specificato | non specificato |
| concentrazione portante cm -3 | ≤ 10 16 | semi-isolante | ( 7-40 ) * 10 17 | ( 1-10 ) * 10 18 | ( 1-6 ) * 10 18 | ( 1-6 ) * 10 1 |
xiamen powerway offre insb wafer - indium antimonide che sono cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come EPI-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).
xiamen powerway offre inas wafer - arseniuro di indio cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).
Xiamen powerway offre gap wafer - fosfuro di gallio cresciuto da lec (liquido czochralski incapsulato) come grado epi-ready o meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).
xiamen powerway offre wafer gasb - gallio antimonide cresciuto da lec (czochralski liquido incapsulato) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100)
pam-xiamen offre una lastra di fotoresist con fotoresist siamo in grado di offrire la nanolitografia (fotolitografia): preparazione della superficie, applicazione di fotoresist, cottura morbida, allineamento, esposizione, sviluppo, cottura dura, sviluppo di ispezioni, incisione, rimozione fotoresist (striscia), ispezione finale.
Il wafer epitassiale a base di gan (ossido di gallio) di pam-xiamen è per i diodi a emissione luminosa (LED) e diodi laser (ld) ad altissima luminosità blu e verde.
pam offre materiali semiconduttori, wafer al germanio monocristallino (ge) cresciuto da vgf / lec
Xiamen powerway offre gap wafer - fosfuro di gallio cresciuto da lec (liquido czochralski incapsulato) come grado epi-ready o meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).
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