fz wafer lucidati, principalmente per la produzione di raddrizzatore al silicio (sr), raddrizzatore controllato al silicio (scr), transistor gigante (gtr), tiristore (gro)
wafer lucido
fz wafer lucidati , principalmente per la produzione di raddrizzatore al silicio (sr), raddrizzatore controllato al silicio (scr), transistor gigante (gtr), tiristore (gro)
i nostri vantaggi a colpo d'occhio
1.pianta attrezzature di crescita epitassia e attrezzature di prova.
2. offrire la massima qualità con bassa densità dei difetti e buona rugosità superficiale.
3. forte supporto del team di ricerca e supporto tecnologico per i nostri clienti
fz specifiche di wafer lucidati
|
genere |
tipo di conduzione |
orientamento |
portata del diametro (mm) |
resistività portata (Ω cm) |
geometrico granulosità dei parametri, metallo superficiale |
|
fz |
n & p |
u0026 Lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76,2-200 |
u0026 Gt; 1000 |
t ≥ 260 ( um ) TTV ≤ 2 ( um ) tir ≤ 2 ( um ) agitare ≤ 1 ( um ) (20 * 20) granulosità ≤ 10 pezzi( ≥ 0,3um), ≤ 20pcs ( ≥ 0,2um) metallo superficiale ≤ 5e10 / cm 2 bsd: etchpit density u0026 gt; 1e106 pezzi /centimetro 2 poli: 5000-12000 a |
|
ntdfz |
n |
u0026 Lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76,2-200 |
30-800 |
|
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CFZ |
n & p |
u0026 Lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76,2-200 |
1-50 |
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gdfz |
n & p |
u0026 Lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76,2-200 |
0,001-300 |
cz specifiche di wafer lucidati
genere
tipo di conduzione
orientamento
diametro portata (mm)
resistività portata (Ω cm)
geometrico granulosità dei parametri, metallo superficiale
MCZ
n & p
u0026 Lt; 100 u0026 gt; u0026 Lt; 110 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;
76,2-200
1-300
t ≥ 260 ( um ) TTV ≤ 2 ( um ) tir ≤ 2 ( um ) agitare ≤ 1 ( um ) (20 * 20) granulosità ≤ 10 pezzi( ≥ 0.3um) , ≤ 20pcs ( ≥ 0,2um) metallo superficiale ≤ 5e10 / cm 2 bsd: etchpit density u0026 gt; 1e10 6pcs /centimetro 2 lto: 3500 ~ 8000 ± 250 A
CZ
n & p
u0026 Lt; 100 u0026 gt; u0026 Lt; 110 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;
76,2-200
1-300
mcz pesantemente drogato
n & p
u0026 Lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;
76,2-200
,001-1
fz-silicio il silicio monocristallino con le caratteristiche di basso contenuto di materiale estraneo, bassa densità di difetti e perfetta struttura cristallina è prodotto con il processo a zona galleggiante; nessun materiale estraneo viene introdotto durante la crescita dei cristalli. la conduttività del silicio-fz è di solito superiore a 1000 Ω-c6
pam-xiamen offre wafer fittizio / wafer di test / wafer di monitoraggio
CZ-silicio il silicio monocristallino cz pesantemente / leggermente drogato è adatto alla produzione di vari circuiti integrati (ic), diodi, triodi, pannelli solari a energia verde. gli elementi speciali (come ga, ge) possono essere aggiunti per produrre materiali per celle solari ad alta efficienza, resistenti alle radiazioni e anti-degenerazione 6
wafer epitassiale di silicio (epi wafer) è uno strato di silicio monocristallino depositato su un singolo wafer di silicio cristallino (nota: è disponibile per far crescere uno strato di strato di silicio policristallino su un wafer di silicio cristallino altamente drogato, ma necessita strato tampone (come ossido o poli-si) tra il substrato bulk s6
il wafer di incisione ha le caratteristiche di bassa rugosità, buona lucentezza e costo relativamente basso e sostituisce direttamente il wafer lucido o il wafer epitassiale che ha costi relativamente alti per produrre gli elementi elettronici in alcuni campi, per ridurre i costi. ci sono wafer di bassa rugosità, bassa riflettività e alta riflettiv6
pam-xiamen ha stabilito la tecnologia di produzione per wafer di substrato gan indipendente (nitruro di gallio), che è per uhb-led e ld. cresciuto con tecnologia di epitassia a fase di vapore idruro (hvpe), il nostro substrato gan ha una bassa densità di difetti.
xiamen powerway offre insb wafer - indium antimonide che sono cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come EPI-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).
A causa delle sue proprietà fisiche ed elettroniche, il dispositivo a base di carburo di silicio è adatto per dispositivi elettronici optoelettronici, ad alta temperatura, resistenti alle radiazioni e ad alta potenza / alta frequenza, a confronto con dispositivi basati su si e gaas.
informazioni sui contatti
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
