gan hemt epitaxial wafer

2 "wafer epitassiali" gan hemt

offriamo 2 "gan hemt wafer, la struttura è la seguente:

struttura (dall'alto verso il basso):

* cappuccio non lavorato (2 ~ 3nm)

alxga1-xn (18 ~ 40nm)

aln (livello buffer)

gan non drogato (2 ~ 3um)

substrato di zaffiro

* possiamo usare si3n per sostituire gan sulla parte superiore, l'adesione è forte, è rivestita da sputter o pecvd.

algan / gan hemt epi wafer su zaffiro / gan

2 ", 4" algan / gan hemt epi wafer su si

1.1specifiche per il transistore di alluminio ad alto elettrone di gallio (alghe) / nitruro di gallio (gan) (nitruro di gallio) sul substrato di silicio.

1.2.epistruttura: epilayers senza crack

1.3. proprietà elettriche della struttura algano / gan hemt

Mobilità a 2 gradi (a 300 k): ≥1,800 cm2 / v.s

Densità del supporto di 2 pagine (a 300 k): ≥0,9x1013 cm-2

rugosità rms (afm): ≤ 0,5 nm (5,0 μm × 5,0 μm area di scansione)

2 "algan / gan su zaffiro

per le specifiche di algan / gan su modello zaffiro, si prega di contattare il nostro ufficio vendite: sales@powerwaywafer.com.

applicazione: utilizzato nei diodi laser blu, nei LED ultravioletti (fino a 250 nm) e nel dispositivo algan / gan hemts.

spiegazione di algan / al / gan hemts:

i bordi di nitruro sono intensamente sviluppati per l'elettronica ad alta potenza nelle applicazioni di amplificazione ad alta frequenza e commutazione di potenza. spesso le alte prestazioni nel funzionamento in corrente continua vengono perse quando l'orlo viene commutato, ad esempio quando la corrente in ingresso crolla quando il segnale del gate è pulsato. si pensa che tali effetti siano legati al trapping della carica che maschera l'effetto del gate sul flusso di corrente. piastre di campo sugli elettrodi di source e gate sono state utilizzate per manipolare il campo elettrico nel dispositivo, mitigando tali fenomeni di collasso di corrente.

gan epitaxialtechnology - epitassia personalizzata su substrato di sic, si e zaffiro per orli, led:

classificazione correlata:

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