nanofabbricazione

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offerte pam-xiamen fotoresist piatto con fotoresist

Siamo in grado di offrire nanolitografia ( fotolitografia ): preparazione della superficie, fotoresist applicare, cuocere in modo morbido, allineamento, esposizione, sviluppo, cottura dura, sviluppare ispezionare, incidere, fotoresist rimozione (striscia), ispezione finale.

un fotoresist è un materiale sensibile alla luce utilizzato in diversi processi, come ad esempio fotolitografia e fotoincisione, per formare un rivestimento modellato su una superficie, che è cruciale in tutta l'industria elettronica.

un resist positivo è un tipo di fotoresist in cui la parte del fotoresist che è esposto alla luce diventa solubile al fotoresist sviluppatore. la parte non esposta del fotoresist rimane insolubile per il fotoresist sviluppatore.

un negativo fotoresist è un tipo di fotoresist in cui la parte del fotoresist che viene esposto alla luce diventa insolubile per il fotoresist sviluppatore. la parte non esposta del fotoresist è dissolto dal fotoresist sviluppatore.

basato sulla struttura chimica di fotoresist , possono essere classificati in tre tipi: fotopolimerico, fotodecomposing, photocrosslinking, fotoresist .

applicazioni:

stampa di microcontatti

fabbricazione di circuiti stampati (pcb)

modellazione e incisione di substrati

microelettronica

fotoresist microposit

futurrex

altro fotoresist ,

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substrato substrato di silicio 2 "3" 4 "5" 6 "8"

substrato di quarzo SSP / dsp

substrato di vetro n / p

sio2 substrato 100/110/111

altro substrato,

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differenze tra resistenza positiva e negativa

procedura di base

una singola iterazione di fotolitografia combina diversi passaggi in sequenza. le moderne camere bianche utilizzano sistemi di binari automatici e robotizzati per coordinare il processo. la procedura qui descritta omette alcuni trattamenti avanzati, come agenti di diluizione o rimozione del cordone.

pulizia

se sulla superficie del wafer sono presenti contaminazioni organiche o inorganiche, esse vengono solitamente rimosse mediante trattamento chimico umido, ad es. la procedura di pulizia rca basata su soluzioni contenenti perossido di idrogeno. per la pulizia si possono usare anche altre soluzioni a base di tricloroetilene, acetone o metanolo.

preparazione

il wafer viene inizialmente riscaldato ad una temperatura sufficiente a eliminare tutta l'umidità che può essere presente sulla superficie del wafer, 150 ° c per dieci minuti è sufficiente. i wafer che sono stati conservati devono essere puliti chimicamente per rimuovere la contaminazione. un "promotore dell'adesione" liquido o gassoso, come l'ammina bis (trimetilsilil) ("esametildisilazano", hmds), viene applicato per promuovere l'adesione del fotoresist al wafer. lo strato superficiale di biossido di silicio sul wafer reagisce con hmds per formare biossido di silicio tri-metilato, uno strato altamente idrorepellente non diverso dallo strato di cera sulla vernice di un'automobile. questo strato idrorepellente impedisce allo sviluppatore acquoso di penetrare tra il fotoresist strato e la superficie del wafer, impedendo così il cosiddetto sollevamento di piccoli fotoresist strutture nel modello (in via di sviluppo). per garantire lo sviluppo dell'immagine, è meglio coprirla e collocarla su una piastra calda e lasciare asciugare stabilizzando la temperatura a 120 ° c.

fotoresist applicazione

il wafer è coperto con fotoresist per rivestimento di rotazione. una soluzione liquida viscosa di fotoresist viene erogata sul wafer e il wafer viene centrifugato rapidamente per produrre uno strato uniformemente spesso. il rivestimento di rotazione funziona tipicamente da 1200 a 4800 rpm per 30 a 60 secondi e produce uno strato tra 0,5 e 2,5 micrometri di spessore. il processo di rivestimento spin produce uno strato sottile uniforme, solitamente con un'uniformità compresa tra 5 e 10 nanometri. questa uniformità può essere spiegata con una dettagliata modellazione fluidodinamica, che mostra che il resist si muove molto più velocemente nella parte superiore dello strato rispetto alla parte inferiore, dove forze viscose legano la resistenza alla superficie del wafer. così, lo strato superiore di resist è rapidamente espulso dal bordo del wafer mentre lo strato inferiore si insinua lentamente radialmente lungo il wafer. in questo modo, qualsiasi 'bump' o 'ridge' di resist è rimosso, lasciando uno strato molto piatto. lo spessore finale è anche determinato dall'evaporazione di solventi liquidi dal resist. per caratteristiche molto piccole e dense (u0026 lt; 125 o così nm), sono necessari spessori resist resistenti (u0026 lt; 0,5 micrometri) per superare gli effetti di collasso ad alti rapporti d'aspetto; i rapporti di aspetto tipici sono u0026 lt; 4: 1.

il wafer fotoresistente viene quindi pre-cotto per eliminare l'eccesso fotoresist solvente, tipicamente da 90 a 100 ° c per 30-60 secondi su una piastra riscaldante.

esposizione e sviluppo

dopo il prebaking, il fotoresist è esposto a uno schema di luce intensa. l'esposizione alla luce provoca un cambiamento chimico che consente alcune delle fotoresist da rimuovere con una soluzione speciale, chiamata "sviluppatore" per analogia con lo sviluppatore fotografico. positivo fotoresist , il tipo più comune, diventa solubile nello sviluppatore quando esposto; con negativo fotoresist , le regioni non esposte sono solubili nello sviluppatore.

una cottura post-esposizione (peb) viene eseguita prima dello sviluppo, in genere per aiutare a ridurre i fenomeni delle onde stazionarie causati dai modelli di interferenza distruttiva e costruttiva della luce incidente. nella litografia ultravioletta profonda, viene utilizzata la chimica resist (chimicamente) amplificata chimicamente. questo processo è molto più sensibile al tempo, alla temperatura e al ritardo del peb, poiché la maggior parte della reazione di "esposizione" (creazione di acido, rendendo il polimero solubile nello sviluppatore di base) si verifica effettivamente nel peb.

lo sviluppo della chimica viene fornito su uno spinner, molto simile fotoresist. gli sviluppatori originariamente spesso contenevano idrossido di sodio (naoh). tuttavia, il sodio è considerato un contaminante estremamente indesiderabile nella fabbricazione di mosfet perché degrada le proprietà isolanti degli ossidi di gate (in particolare, gli ioni di sodio possono migrare dentro e fuori dal gate, cambiare la tensione di soglia del transistor e renderlo più difficile o più facile da girare il transistor nel tempo). vengono ora utilizzati sviluppatori senza ioni di metallo come il tetrametilammonio idrossido (tmah).

il wafer risultante viene quindi "hard-baked" se è stato usato un resist amplificato non chimicamente, tipicamente da 120 a 180 ° c [citazione necessaria] per 20-30 minuti. la dura cottura solidifica il rimanente fotoresist , per creare uno strato protettivo più durevole nel futuro impianto di ioni, incisione chimica a umido o incisione al plasma.

acquaforte

in acquaforte, un agente chimico liquido ("umido") o plasma ("secco") rimuove lo strato superiore del substrato nelle aree non protette da fotoresist . nella fabbricazione di semiconduttori, le tecniche di incisione a secco sono generalmente utilizzate, in quanto possono essere rese anisotropiche, al fine di evitare una significativa sottoquotazione del fotoresist modello. questo è essenziale quando la larghezza delle caratteristiche da definire è simile o inferiore allo spessore del materiale che viene inciso (cioè quando il rapporto di aspetto si avvicina all'unità). i processi di incisione ad acqua sono generalmente di natura isotropica, che è spesso indispensabile per i sistemi microelettromeccanici, dove le strutture sospese devono essere "rilasciate" dallo strato sottostante.

lo sviluppo del processo anisotropico a mordenzatura a secco a bassa deflessività ha permesso alle caratteristiche sempre più piccole definite fotolitograficamente nel resist di essere trasferite al materiale del substrato.

fotoresist rimozione

dopo un fotoresist non è più necessario, deve essere rimosso dal substrato. questo di solito richiede un "stripper" resistente al liquido, che altera chimicamente il resist in modo che non aderisca più al substrato. in alternativa, fotoresist può essere rimosso da un plasma contenente ossigeno, che lo ossida. questo processo è chiamato incenerimento e ricorda l'incisione a secco. uso di solvente 1-metil-2-pirrolidone (nmp) per fotoresist è un altro metodo utilizzato per rimuovere un'immagine. quando il resist è stato sciolto, il solvente può essere rimosso riscaldando a 80 ° c senza lasciare residui.

serie microposit s1800 g2 fotoresist

negativo resisto nr9-6000py

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