fz-silicio
il silicio monocristallino con le caratteristiche di basso contenuto di materiale estraneo, bassa densità di difetti e perfetta struttura cristallina è prodotto con il processo a zona galleggiante; nessun materiale estraneo viene introdotto durante la crescita dei cristalli. la conduttività del silicio-fz è di solito superiore a 1000 Ω-cm, e il fz-silicio viene utilizzato principalmente per produrre gli elementi ad alta tensione inversa e i dispositivi fotoelettrici.
silicio monocristallino a zona galleggiante
fz-silicio
il silicio monocristallino con le caratteristiche di basso contenuto di materiale estraneo, bassa densità di difetti e perfetta struttura cristallina è prodotto con il processo a zona galleggiante; nessun materiale estraneo viene introdotto durante la crescita dei cristalli. il fz-silicio la conduttività è solitamente superiore a 1000 Ω-cm e il fz-silicio viene principalmente utilizzato per produrre gli elementi ad alta tensione inversa e i dispositivi fotoelettrici.
ntdfz-silicio
il silicio monocristallino con alta resistività e uniformità può essere ottenuto mediante irradiazione neutronica di fz-silicio , per garantire la resa e l'uniformità degli elementi prodotti, ed è principalmente utilizzato per produrre il raddrizzatore al silicio (sr), controllo del silicio (scr), transistor gigante (gtr), tiristore di spegnimento gate (gto), tiristore statico a induzione ( sith), transistor bipolare a porta isolata (igbt), diodo extra (pin), alimentazione intelligente e alimentazione ic, ecc; è il principale materiale funzionale per vari convertitori di frequenza, raddrizzatori, elementi di controllo di grande potenza, nuovi dispositivi elettronici di potenza, rilevatori, sensori, dispositivi fotoelettrici e dispositivi di alimentazione speciali.
gdfz-silicio
utilizzando il meccanismo di diffusione di materiale estraneo, aggiungere il materiale estraneo in fase gas durante il processo a zona galleggiante del silicio monocristallino, per risolvere il problema del doping del processo float-zone dalla radice e per ottenere il gdfz-silicio che è di tipo n o di tipo p, ha resistività 0,001-300 Ω.cm, buona uniformità di resistività relativa e irradiazione neutronica. è applicabile per la produzione di vari elementi di potenza a semiconduttore, transistor bipolare a porta isolata (igbt) e cella solare ad alta efficienza, ecc.
CFZ-silicio
il silicio monocristallino viene prodotto con la combinazione di processi czochralski e float-zone, ed ha la qualità tra il silicio monocristallino cz e il silicio monocristallino fz; gli elementi speciali possono essere drogati, come ad esempio ga, ge e altri. i wafer solari in silicio cfz di nuova generazione sono migliori di vari wafer di silicio nell'industria mondiale dei pv su ciascun indice di prestazione; l'efficienza di conversione del pannello solare è fino al 24-26%. i prodotti sono applicati principalmente nelle batterie solari ad alta efficienza con la struttura speciale, il contatto di ritorno, il colpo e altri processi speciali, e più ampiamente usati nei led, negli elementi di potenza, nell'automobile, nel satellite e in altri vari prodotti e campi.
i nostri vantaggi a colpo d'occhio
1.pianta attrezzature di crescita epitassia e attrezzature di prova.
2. offrire la massima qualità con bassa densità dei difetti e buona rugosità superficiale.
3. forte supporto del team di ricerca e supporto tecnologico per i nostri clienti
genere
tipo di conduzione
orientamento
Diametro (mm)
conducibilità (Ω • cm)
alta resistenza
n & p
u0026 Lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;
76,2-200
u0026 Gt; 1000
NTD
n
u0026 Lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;
76,2-200
30-800
CFZ
n & p
u0026 Lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;
76,2-200
1-50
gd
n & p
u0026 Lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;
76,2-200
0,001-300
specifiche di wafer
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parametro di lingotto |
articolo |
descrizione |
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metodo di coltivazione |
fz |
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orientamento |
u0026 Lt; 111 u0026 gt; |
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off-orientamento |
4 ± 0,5 gradi a il più vicino u0026 lt; 110 u0026 gt; |
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tipo / drogante |
p / boro |
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resistività |
10-20 w.cm |
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RRV |
≤15% (max edge-cen) / sec |
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parametro wafer |
articolo |
descrizione |
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diametro |
150 ± 0,5 mm |
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spessore |
675 ± 15 um |
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appartamento primario lunghezza |
57,5 ± 2,5 mm |
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appartamento primario orientamento |
u0026 Lt; 011 u0026 gt; ± 1 grado |
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appartamento secondario lunghezza |
nessuna |
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appartamento secondario orientamento |
nessuna |
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TTV |
≤5 um |
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arco |
≤40 um |
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ordito |
≤40 um |
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profilo del bordo |
semi standard |
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superficie frontale |
chimico-mechenical lucidatura |
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LPD |
≥0,3 um @ ≤15 pz |
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superficie posteriore |
acidato |
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chip di bordo |
nessuna |
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pacchetto |
sottovuoto; plastica interna, alluminio esterno |
pam-xiamen offre wafer fittizio / wafer di test / wafer di monitoraggio
CZ-silicio il silicio monocristallino cz pesantemente / leggermente drogato è adatto alla produzione di vari circuiti integrati (ic), diodi, triodi, pannelli solari a energia verde. gli elementi speciali (come ga, ge) possono essere aggiunti per produrre materiali per celle solari ad alta efficienza, resistenti alle radiazioni e anti-degenerazione 6
wafer epitassiale di silicio (epi wafer) è uno strato di silicio monocristallino depositato su un singolo wafer di silicio cristallino (nota: è disponibile per far crescere uno strato di strato di silicio policristallino su un wafer di silicio cristallino altamente drogato, ma necessita strato tampone (come ossido o poli-si) tra il substrato bulk s6
fz wafer lucidati, principalmente per la produzione di raddrizzatore al silicio (sr), raddrizzatore controllato al silicio (scr), transistor gigante (gtr), tiristore (gro)
il wafer di incisione ha le caratteristiche di bassa rugosità, buona lucentezza e costo relativamente basso e sostituisce direttamente il wafer lucido o il wafer epitassiale che ha costi relativamente alti per produrre gli elementi elettronici in alcuni campi, per ridurre i costi. ci sono wafer di bassa rugosità, bassa riflettività e alta riflettiv6
pam-xiamen offre wafer fittizio / wafer di test / wafer di monitoraggio
Stiamo fabbricando vari tipi di materiali semiconduttori di tipo n drogati al silicio e-iii epi wafer basati su ga, al, in, as e p sviluppati da mbe o mocvd. forniamo strutture personalizzate per soddisfare le specifiche del cliente. vi preghiamo di contattarci per ulteriori informazioni.
forniamo su misura film sottile personalizzato (carburo di silicio) sicità su substrati 6h o 4h per lo sviluppo di dispositivi in carburo di silicio. sic epi wafer viene utilizzato principalmente per diodi schottky, transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo, transistor a effetto di campo a giunzione, transistor a giunzion6
informazioni sui contatti
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
