Il sviluppo del mercato dei semiconduttori di potenza SiC e GaN Lo stato attuale della tecnologia e del mercato SiC e il tendenza allo sviluppo nei prossimi anni. Il mercato dei dispositivi SiC è promettente. Le vendite della barriera di Schottky i diodi sono maturati e le spedizioni MOSFET dovrebbero aumentare in modo significativo nei prossimi tre anni. Secondo gli analisti di Yole Développement...
In questo documento, utilizzando un simulatore di dispositivo elettrotermico tridimensionale completamente accoppiato, studiamo il meccanismo di degrado dell'efficienza ad alto funzionamento corrente in planari sol un Diodi emettitori di luce basati su N (GUIDATO). In particolare, è stato dimostrato il miglioramento del degrado dell'efficienza utilizzando substrati GaN conduttivi più spess...
Per materiali omogenei, il metodo di immersione ad ultrasuoni, associato a un processo di ottimizzazione numerica basato principalmente sull'algoritmo di Newton, consente la determinazione di costanti elastiche per vari materiali compositi sintetici e naturali. Tuttavia, una limitazione principale della procedura di ottimizzazione esistente si verifica quando il materiale considerato è al limi...
Le caratteristiche di laser legate alla temperatura di legame del diodo laser GaInAsP (LD) di 1,5 μm coltivate su un legame diretto Substrato InP o Substrato di Si sono stati ottenuti con successo. Abbiamo fabbricato il InP substrato o Si substrato utilizzando una tecnica di legame di wafer idrofilo diretto a temperature di legame di 350, 400 e 450 ° C e depositato GaInAsP o Livelli di doppia eter...
È stato sviluppato un epi-reattore verticale a parete calda che consente di ottenere simultaneamente un alto tasso di crescita e un'uniformità di grande area. Si ottiene un tasso di crescita massimo di 250 μm / h con una morfologia a specchio a 1650 ° C. Sotto una modifica epi-reattore configurazione, un'uniformità di spessore dell'1,1% e un'uniformità di drogaggio del 6,7% per un&...
Abbiamo migliorato l'efficienza delle antenne fotoconduttive (PCA) utilizzando GaAs cresciuto a bassa temperatura (LT-GaAs). Abbiamo scoperto che le proprietà fisiche degli strati fotoconduttivi LT-GaAs influenzano notevolmente le caratteristiche di generazione e rilevamento delle onde terahertz (THz). Nella generazione THz, l'elevata mobilità dei portatori fotoeccitati e la presenza di alcuni clu...
Vengono esaminati i recenti progressi nella crescita dei film epitassiali di SiC su Si. Vengono discussi i metodi classici di base attualmente utilizzati per la crescita dei film di SiC e vengono esplorati i loro vantaggi e svantaggi. L'idea di base e il background teorico per un nuovo metodo di sintesi di film epitassiali di SiCsu Si sono dati. Si dimostrerà che il nuovo metodo è significativamen...
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