Silicio Sic

lista dei blog

blog

messaggi recenti

protezione delle superfici in carburo di silicio impiantate e modellate selettivamente con strato di tappatura in grafite durante la ricottura post-impianto
teoria e pratica della crescita di sic on si e le sue applicazioni a film semiconduttori a grande gap
Effetti dell'impianto di ioni al 4H-SiC sulla resistenza di contatto specifica dei materiali di contatto a base di TiAl
Come si svilupperà il mercato dei semiconduttori di potenza SiC e GaN?
Determinazione ottimale delle costanti elastiche di materiali compositi tessuti SiC / SiC 2D
Sviluppo della tecnica di crescita epitassiale 4H-SiC ottenendo un alto tasso di crescita e un'uniformità di grande area
Teoria e pratica della crescita di SiC su Si e sue applicazioni a film semiconduttori ad ampio gap

tag

InGaN sic wafer Wafer epitassiale 4h-sic gan epitassia substrato gan wafer epitassiali substrato gasb struttura epitassiale a diodi laser wafer al germanio nitruro di gallio

protezione delle superfici in carburo di silicio impiantate e modellate selettivamente con strato di tappatura in grafite durante la ricottura post-impianto

2018-Jan-19

uno strato di tappatura di grafite è stato valutato per proteggere la superficie di wafer epitassiali 4h-sic modellati e impiantati selettivamente durante la ricottura post-impianto. Il fotoresistivo az-5214e è stato centrifugato e cotto sotto vuoto a temperature comprese tra 750 e 850 ° c per formare un rivestimento continuo su superfici planari e mesa-incise con caratteristiche fino a 2 μm di al...

sic wafer Wafer epitassiale 4h-sic 4h sic
teoria e pratica della crescita di sic on si e le sue applicazioni a film semiconduttori a grande gap

2018-Jul-12

i recenti progressi nella crescita su si di epitaxial sic film sono presi in considerazione. vengono discussi i metodi classici di base attualmente utilizzati per la crescita dei film sic e vengono esaminati i loro vantaggi e svantaggi. vengono dati l'idea di base e lo sfondo teorico per un nuovo metodo di sintesi di film epitaxial sic su si. verrà mostrato che il nuovo metodo è significativam...

carburo di silicio film sic strati epitassiali sic
Effetti dell'impianto di ioni al 4H-SiC sulla resistenza di contatto specifica dei materiali di contatto a base di TiAl

2018-Sep-29

Per realizzare carburo di silicio ad alte prestazioni ( SiC ) Devono essere sviluppati dispositivi di potenza, contatti ohmici a bassa resistenza a SiC di tipo p. Per ridurre la resistenza di contatto ohmica, è necessario ridurre l'altezza della barriera alle interfacce metallo / SiC o aumentare la concentrazione di drogaggio nei substrati di SiC. Poiché la riduzione dell'altezza della bar...

SiC 4H-SiC carburo di silicio
Come si svilupperà il mercato dei semiconduttori di potenza SiC e GaN?

2018-Nov-21

Il sviluppo del mercato dei semiconduttori di potenza SiC e GaN Lo stato attuale della tecnologia e del mercato SiC e il tendenza allo sviluppo nei prossimi anni. Il mercato dei dispositivi SiC è promettente. Le vendite della barriera di Schottky i diodi sono maturati e le spedizioni MOSFET dovrebbero aumentare in modo significativo nei prossimi tre anni. Secondo gli analisti di Yole Développement...

Wafer SiC Wafer GaN Recupero di wafer di SiC
Determinazione ottimale delle costanti elastiche di materiali compositi tessuti SiC / SiC 2D

2019-Jan-21

Per materiali omogenei, il metodo di immersione ad ultrasuoni, associato a un processo di ottimizzazione numerica basato principalmente sull'algoritmo di Newton, consente la determinazione di costanti elastiche per vari materiali compositi sintetici e naturali. Tuttavia, una limitazione principale della procedura di ottimizzazione esistente si verifica quando il materiale considerato è al limi...

Epitassia SiC Wafer SiC Substrato sic
Sviluppo della tecnica di crescita epitassiale 4H-SiC ottenendo un alto tasso di crescita e un'uniformità di grande area

2019-Feb-19

È stato sviluppato un epi-reattore verticale a parete calda che consente di ottenere simultaneamente un alto tasso di crescita e un'uniformità di grande area. Si ottiene un tasso di crescita massimo di 250 μm / h con una morfologia a specchio a 1650 ° C. Sotto una modifica epi-reattore configurazione, un'uniformità di spessore dell'1,1% e un'uniformità di drogaggio del 6,7% per un&...

Epilayer di 280 μm di spessore SIC Epi Epitaxy SIC
Teoria e pratica della crescita di SiC su Si e sue applicazioni a film semiconduttori ad ampio gap

2019-Mar-18

Vengono esaminati i recenti progressi nella crescita dei film epitassiali di SiC su Si. Vengono discussi i metodi classici di base attualmente utilizzati per la crescita dei film di SiC e vengono esplorati i loro vantaggi e svantaggi. L'idea di base e il background teorico per un nuovo metodo di sintesi di film epitassiali di SiCsu Si sono dati. Si dimostrerà che il nuovo metodo è significativamen...

silicio sic Strati epitassiali SiC film a semiconduttore

primo ultimo

[ un totale di 1 pagine]

Che cosa sta cercando?

ricerca

lista dei blog

messaggi recenti

tag

protezione delle superfici in carburo di silicio impiantate e modellate selettivamente con strato di tappatura in grafite durante la ricottura post-impianto

teoria e pratica della crescita di sic on si e le sue applicazioni a film semiconduttori a grande gap

Effetti dell'impianto di ioni al 4H-SiC sulla resistenza di contatto specifica dei materiali di contatto a base di TiAl

Come si svilupperà il mercato dei semiconduttori di potenza SiC e GaN?

Determinazione ottimale delle costanti elastiche di materiali compositi tessuti SiC / SiC 2D

Sviluppo della tecnica di crescita epitassiale 4H-SiC ottenendo un alto tasso di crescita e un'uniformità di grande area

Teoria e pratica della crescita di SiC su Si e sue applicazioni a film semiconduttori ad ampio gap

Contattaci

Seguici

hot tag

informazioni sui contatti

unisciti alla nostra comunità