Per realizzare carburo di silicio ad alte prestazioni ( SiC ) Devono essere sviluppati dispositivi di potenza, contatti ohmici a bassa resistenza a SiC di tipo p. Per ridurre la resistenza di contatto ohmica, è necessario ridurre l'altezza della barriera alle interfacce metallo / SiC o aumentare la concentrazione di drogaggio nei substrati di SiC. Poiché la riduzione dell'altezza della bar...
Il sviluppo del mercato dei semiconduttori di potenza SiC e GaN Lo stato attuale della tecnologia e del mercato SiC e il tendenza allo sviluppo nei prossimi anni. Il mercato dei dispositivi SiC è promettente. Le vendite della barriera di Schottky i diodi sono maturati e le spedizioni MOSFET dovrebbero aumentare in modo significativo nei prossimi tre anni. Secondo gli analisti di Yole Développement...
In questo documento, utilizzando un simulatore di dispositivo elettrotermico tridimensionale completamente accoppiato, studiamo il meccanismo di degrado dell'efficienza ad alto funzionamento corrente in planari sol un Diodi emettitori di luce basati su N (GUIDATO). In particolare, è stato dimostrato il miglioramento del degrado dell'efficienza utilizzando substrati GaN conduttivi più spess...
Esame di incisione topografica e chimica a raggi X di Si: Ge singoli cristalli contenente 1,2 a% e 3,0 a% Ge, insieme con precise misurazioni dei parametri reticolari, è stato eseguito. Contrasti di diffrazione sotto forma di "quasi-cerchi" concentrici (striature), probabilmente dovuti alla distribuzione non uniforme degli atomi di Ge, sono stati osservati nei topografi di proiezione. Gl...
Esperimenti ortogonali sulla crescita di pellicole GaSb Substrato GaAs sono stati progettati ed eseguiti utilizzando un sistema di deposizione chimica da fase vapore in metallo-organico a bassa pressione (LP-MOCVD). Le cristallinità e le microstrutture dei film prodotti sono state analizzate comparativamente per ottenere i parametri di crescita ottimali. È stato dimostrato che il film sottile GaSb...
Per materiali omogenei, il metodo di immersione ad ultrasuoni, associato a un processo di ottimizzazione numerica basato principalmente sull'algoritmo di Newton, consente la determinazione di costanti elastiche per vari materiali compositi sintetici e naturali. Tuttavia, una limitazione principale della procedura di ottimizzazione esistente si verifica quando il materiale considerato è al limi...
È stato sviluppato un epi-reattore verticale a parete calda che consente di ottenere simultaneamente un alto tasso di crescita e un'uniformità di grande area. Si ottiene un tasso di crescita massimo di 250 μm / h con una morfologia a specchio a 1650 ° C. Sotto una modifica epi-reattore configurazione, un'uniformità di spessore dell'1,1% e un'uniformità di drogaggio del 6,7% per un&...
Vengono esaminati i recenti progressi nella crescita dei film epitassiali di SiC su Si. Vengono discussi i metodi classici di base attualmente utilizzati per la crescita dei film di SiC e vengono esplorati i loro vantaggi e svantaggi. L'idea di base e il background teorico per un nuovo metodo di sintesi di film epitassiali di SiCsu Si sono dati. Si dimostrerà che il nuovo metodo è significativamen...
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