pam-xiamen fornisce rivelatori basati su czt dalla tecnologia di rivelatori a stato solido per raggi X o gamma-ray, che ha una migliore risoluzione energetica rispetto al rivelatore a base di cristalli di scintillazione, incluso rivelatore planare czt, rilevatore pixellato czt, gri-planar czt
rivelatore czt
Rivelatore planare da 1.1czt
specificazioni
|
hv |
+200 v ~ +500 v |
||
|
intervallo di energia |
20 kev ~ 200 kev |
||
|
operativo intervallo di temperatura |
-20 ℃ ~ 40 ℃ |
||
|
dimensione ( mm 3 ) |
5 × 5 × 2 |
10 × 10 × 2 |
|
|
energia risoluzione a 59,5 kev |
contatore grado |
u003e 15% |
u003e 15% |
|
discriminatore grado |
7% ~ 15% |
8% ~ 15% |
|
|
spettrometro grado |
u003c 7% |
u003c 8% |
|
|
Nota |
u0026 EMSP; |
altre dimensioni possono anche essere disponibile |
|
assemblaggio standard 5 × 5 × 2mm 3 czt
assemblaggio standard 10 × 10 × 2mm 3 czt
Rilevatore pixellato 1,2czt
specificazioni
|
applicazione |
SPECT , fotocamera γ |
raggi X l'imaging |
|
operativo intervallo di temperatura |
-20 ℃ ~ 40 ℃ |
|
|
energia tipica risoluzione |
u003c 6,5% @ 59,5 kev |
- |
|
tasso di conteggio |
- |
u003e 2m cps / pixel |
|
matrice tipica |
matrice di area rivelatore: 8 × 8 |
matrice di area rivelatore: 8 × 8 |
|
matrice lineare rivelatore: 1 × 16 |
matrice lineare rivelatore: 1 × 16 |
|
|
il massimo dimensioni del cristallo |
40 × 40 × 5 mm 3 |
|
|
Nota |
altro elettrodo il modello può anche essere disponibile |
u0026 EMSP; |
Assemblaggio rivelatore czt standard 8 × 8 pixel
Assemblaggio rivelatore czt standard 8 × 8 pixel
Rilevatori di griglia co-planari 1.3czt
specificazioni
hv: +1000 v ~ + 3000v
intervallo di energia: 50 kev ~ 3 mev
Intervallo di temperatura operativa: -20 ℃ ~ 40 ℃
tipica risoluzione energetica: u003c4% @ 662 kev
rapporto picco-compton: 3 ~ 5
dimensione standard (mm 3): 10 × 10 × 5, 10 × 10 × 10
Rilevatore emisferico 1,4czt
hv: +200 v ~ +1000 v intervallo di temperatura di funzionamento: -20 ℃ ~ 40 ℃
intervallo di energia: 50 kev ~ 3 mev risoluzione energetica tipica: u003c3% @ 662 kev
dimensione standard (mm 3): 4 × 4 × 2, 5 × 5 × 2,5, 10 × 10 × 5
tellururo di cadmio-zinco (cdznte o czt) è un nuovo semiconduttore, che consente di convertire efficacemente la radiazione in elettrone, è principalmente utilizzato nel substrato di epitassia a film sottile a infrarossi, rilevatori di raggi X e rivelatori di raggi gamma, modulazione ottica laser, alta- celle solari ad alte prestazioni e altri campi6
pam-xiamen ha stabilito la tecnologia di produzione per wafer di substrato gan indipendente (nitruro di gallio), che è per uhb-led e ld. cresciuto con tecnologia di epitassia a fase di vapore idruro (hvpe), il nostro substrato gan ha una bassa densità di difetti.
I prodotti del modello di pam-xiamen sono costituiti da strati cristallini di nitruro di gallio (gan), nitruro di alluminio (aln), nitruro di gallio di alluminio (algan) e nitruro di gallio indio (ingan), che si depositano su substrati di zaffiro, i modelli di carburo di silicio o di silicon.pam-xiamen consentono tempi di ciclo epitassiale più brev6
pam-xiamen offre wafer in carburo di silicio a semiconduttore, 6h sic e 4h sic in diversi gradi di qualità per ricercatore e produttori industriali. abbiamo sviluppato la tecnologia di crescita del cristallo sic e la tecnologia di trattamento del cristallo sic sic, ha stabilito una linea di produzione per substrato produttore sic, che viene applica6
xiamen powerway offre wafer gasb - gallio antimonide cresciuto da lec (czochralski liquido incapsulato) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100)
offerte pam-xiamen fotomaschere una maschera fotografica è un rivestimento sottile di materiale di mascheratura supportato da un substrato più spesso, e il materiale di mascheratura assorbe la luce a vari gradi e può essere modellato con un design personalizzato. il pattern è usato per modulare la luce e trasferire il pattern attraverso il processo6
CZ-silicio il silicio monocristallino cz pesantemente / leggermente drogato è adatto alla produzione di vari circuiti integrati (ic), diodi, triodi, pannelli solari a energia verde. gli elementi speciali (come ga, ge) possono essere aggiunti per produrre materiali per celle solari ad alta efficienza, resistenti alle radiazioni e anti-degenerazione 6
xiamen powerway offre insb wafer - indium antimonide che sono cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come EPI-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).
informazioni sui contatti
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
