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wafer di semiconduttori di nitruro

2017-12-21

wafer di semiconduttori di nitruro

nitruro di gallio autoportante
oggetto numero. genere orientamento spessore grado micro difetto  densità superficie area utilizzabile
\u0026 EMSP; tipo n
pam-fs-gan50-n 2 \"n tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan45-n dia.45mm, n tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan40-n dia.40mm, n tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan38-n dia.38mm, n tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan25-n dia.25.4mm, n  genere 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan15-n 14mm * 15mm, n  genere 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan10-n 10mm * 10,5 millimetri, n  genere 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan5-n 5mm * 5.5mm, n  genere 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
\u0026 EMSP; semi-isolante
pam-fs-gan50-si 2 \"n tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan45-si dia.45mm, n tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan40-si dia.40mm, n tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan38-si dia.38mm, n tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan25-si dia.25.4mm, n  genere 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan15-si 14mm * 15mm, n  genere 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan10-si 10mm * 10,5 millimetri, n  genere 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-fs-gan5-si 5mm * 5.5mm, n  genere 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
modello di nitruro di gallio, modello di aln, modello ingan, algan  modello
oggetto numero. genere orientamento spessore grado dislocazione  densità superficie area utilizzabile
pam-76-gan-t-n modello gan, n  genere 0 ° ± 0.5 ° 20/30 / 40um / \u0026 Lt; 1x10 ^ 8 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-50-gan-t-n modello gan, n  genere 0 ° ± 0.5 ° 20/30 / 40um / \u0026 Lt; 1x10 ^ 8 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-50-gan-t-p modello gan, p  genere 0 ° ± 0.5 ° 2um / / p / p o p / l \u0026 Gt; 91%
pam-50-gan-t-si Gan  template, semi-isolante 0 ° ± 0.5 ° 30 / 90um / \u0026 Lt; 1x10 ^ 8 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-50-aln-t-si aln  template, semi-isolante 0 ° ± 0.5 ° 1um / / p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-50-InGaN-t-si modello inganno 0 ° ± 0.5 ° 100-200nm / 10 ^ 8 / cm2 p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
pam-50-Algan-t-si modello di algan 0 ° ± 0.5 ° 1-5um / * p / p o p / l \u0026 Gt; 90%
nitruro di gallio epi wafer (wafer led)
oggetto numero. genere orientamento spessore grado lunghezza d'onda superficie area utilizzabile
\u0026 EMSP; tipo n
pam-50-gan-epi- blu-f / 0 ° ± 0.5 ° 436um / 445-475nm p / l \u0026 Gt; 90%
pam-50-gan-epi-blue-PSS / 0 ° ± 0.5 ° 436um / 445-475nm p / l \u0026 Gt; 90%
pam-50-gan-epi-verde-f / 0 ° ± 0.5 ° 436um / 510-530nm p / l \u0026 Gt; 90%
pam-50-gan-epi-verde-PSS / 0 ° ± 0.5 ° 436um / 510-530nm p / l \u0026 Gt; 90%
nitruro di gallio uv led
oggetto numero. pkg potenza di uscita tensione diretta grado lunghezza d'onda deg. FWHM
pam-gan-led-uv-265 03wg / SMD / to39 / / / 265nm +/- 3nm / 10nm
pam-gan-led-uv-280 03wg / SMD / to39 / 6,8-7,5 / 280nm +/- 3nm 140/60 10nm
pam-gan-led-uv-310 03wg / SMD / to39 / 6,5-7,2 / 310 nm +/- 3nm 140/60 10nm
come fornitore di gan wafer, offriamo la lista dei semiconduttori gallio per il vostro riferimento, se avete bisogno di dettagli sui prezzi, si prega di contattare il nostro team di vendita


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