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fornitore di wafer ge

2017-12-21

fornitore di wafer ge

substrato di ge wafer-germanio
quantità Materiale orientamento. diametro thickne ss polacco resistività genere drogante PRI me f lat EPD RA
pezzi (Mm) (Um) Ω · cm \u0026 EMSP; orientatio n / cm2 \u0026 EMSP;
1-100 ge ( 100 ) 50,8 500 ± 25 ssp ,0138-,02 p / ga -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 50,8 500 ssp ≥ 30 n / non drogato n / a n / a \u0026 Lt; 5a
1-100 ge ( 100 ) 50,8 500 ssp 58,4-63,4 n / non drogato n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50,8 500 ssp 0.1-1 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50,8 500 ssp 0,1-0,05 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50,8 1000 dsp \u0026 Gt; 30 n / a -110 n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50,8 2000 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50,8 4000 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 ge (111) / (110) 50,8 200000 n / a 5-20 n / a n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50,8 400 ssp \u0026 Lt; 0,4 n / a n / a n / a n / a
1-100 ge (100) / (111) 50,8 4000 ± 10 dsp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 50,8 350 ssp 1-10 p / ga -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 50,8 500 ± 25 ssp 2-10 p / ga -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 50,8 500 ± 25 ssp 0,3-3 n / sb -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 50,8 500 ± 25 ssp 0,3-3 p / ga -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 111 ) 60 1000 come tagliato \u0026 Gt; 30 n / a -110 \u0026 Lt; 3000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 n / a ssp \u0026 Lt; 0,019 p / ga -110 \u0026 Lt; 500 n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 1000 ± 25 ssp ≥ 30 n / non drogato n / a n / a n / a
1-100 ge (100) spento 6 ° o spento 9 ° 100 500 ssp 0,01-0,05 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 ssp 0,01-0,05 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 dsp 0,01-0,05 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 ssp \u0026 Lt; 0,01 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 dsp \u0026 Lt; 0,01 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 ssp ≥ 35 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 dsp ≥ 35 p / ga n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 ssp 0,1-0,05 p / ga n / a n / a \u0026 Lt; 5a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 dsp 0,1-0,05 p / ga n / a n / a \u0026 Lt; 5a
1-100 ge (100) 6 ° off (111) 100 185 ± 15 dsp 0,01-0,05 n / a -110 ≤5000 \u0026 Lt; 5a
1-100 ge (100) 6 ° off (110) 100 525 ± 25 ssp 0,01-0,04 n / a n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 n / a n / a n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 1000 ± 15 ssp ≥ 30 n / a -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 750 ± 25 ssp ≥ 30 n / a -110 ≤ 5000 n / a
1-100 ge ( 100 ) 100 500 ± 25 ssp 10-30 n / a n / a n / a n / a
1-100 ge (100) / (111) 100 160 dsp 0,05-0,1 p / ga n / a \u0026 Lt; 500 n / a
1-100 ge (100) / (111) 100 160 dsp 0,05-0,1 p / ga n / a \u0026 Lt; 4000 n / a
1-100 ge (100) / (111) 100 160 dsp 0,05-0,1 n / sb n / a \u0026 Lt; 500 n / a
1-100 ge (100) / (111) 100 160 dsp 0,05-0,1 n / sb n / a \u0026 Lt; 4000 n / a
1-100 ge (100) / (111) 100 190 dsp 0,05-0,1 p / ga n / a \u0026 Lt; 500 n / a
1-100 ge (100) / (111) 100 190 dsp 0,05-0,1 p / ga n / a \u0026 Lt; 4000 n / a
1-100 ge ( 111 ) 100 500 ± 25 ssp \u0026 Lt; 0,4 n / sb n / a n / a n / a
1-100 ge (100) 6 ° fuori taglio verso (111) a 100 175 ± 25 ssp 0,003-0,009 p / ga (0-1-1) (0-11) \u0026 Lt; 100 n / a
1-100 ge (310) ± 0.1 ° 100 200 ± 15 dsp \u0026 Gt; 20 n / a n / a n / a n / a
1-100 ge ( 111 ) 150 600-700 n / a \u0026 Gt; 30 n / a -110 n / a n / a
un s a fornitore di wafer ge, offriamo la lista di wafer germanio per il vostro riferimento, se avete bisogno di dettagli sui prezzi, si prega di contattare il nostro team di vendita


Nota:

*** come produttore, accettiamo anche piccole quantità per ricercatore o fonderia.

*** tempo di consegna: dipende dalle scorte che abbiamo, se abbiamo magazzino, possiamo spedire a voi presto.

*** per l'applicazione di celle solari, normalmente l'utente sceglie ge wafer con (100) off 6 ° o off 9 ° in 175um +/- 25um di spessore, epd \u0026 lt; 500 / cm2 o 5000 / cm2.


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