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substrato gan indipendente
pam-xiamen ha stabilito la tecnologia di produzione per wafer di substrato gan indipendente (nitruro di gallio), che è per uhb-led e ld. cresciuto con tecnologia di epitassia a fase di vapore idruro (hvpe), il nostro substrato gan ha una bassa densità di difetti. -
applicazione sic
A causa delle sue proprietà fisiche ed elettroniche, il dispositivo a base di carburo di silicio è adatto per dispositivi elettronici optoelettronici, ad alta temperatura, resistenti alle radiazioni e ad alta potenza / alta frequenza, a confronto con dispositivi basati su si e gaas.hot tag : applicazione sic chip di wafer incisione su wafer diodo sic proprietà del carburo di silicio mosfet al carburo di silicio
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wafer inp
xiamen powerway offre inp wafer - indio fosfuro cresciuti con lec (liquido incapsulato czochralski) o vgf (congelamento gradiente verticale) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o ( 100).hot tag : wafer inp substrato inp wafer di fosfuro di indio substrato di fosfuro di indio prezzo del wafer in entrata produttori di fosfuro di indio
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wafer di insb
xiamen powerway offre insb wafer - indium antimonide che sono cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come EPI-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).hot tag : wafer di insb insb substrato wafer di antimonio di indio substrato di antimonio di indio proprietà antimonio di indio prezzo del wafer insb
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inas wafer
xiamen powerway offre inas wafer - arseniuro di indio cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).hot tag : inas wafer substrato inas wafer di arsenuro di indio substrato di arsenuro di indio semiconduttore di arsenuro di indio struttura di arsenide di indio
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wafer gasb
xiamen powerway offre wafer gasb - gallio antimonide cresciuto da lec (czochralski liquido incapsulato) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100)
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