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wafer di gaas (arseniuro di gallio)
pwam sviluppa e produce substrati semiconduttori composti: cristallo di arseniuro di gallio e wafer. Abbiamo utilizzato tecnologie avanzate per la crescita dei cristalli, il congelamento con gradiente verticale (vgf) e il gaas wafer, stabilito una linea di produzione dalla crescita dei cristalli, taglio, molatura alla lavorazione della lucidatura e costruzione una camera pulita di 100 classi per la pulizia e l'imballaggio dei wafer. il nostro gaas wafer include lingotti / wafer da 2 ~ 6 pollici per applicazioni led, ld e microelettronica. Siamo sempre dedicati a migliorare la qualità dei sottostati attuali e sviluppare substrati di grandi dimensioni. -
wafer inp
xiamen powerway offre inp wafer - indio fosfuro cresciuti con lec (liquido incapsulato czochralski) o vgf (congelamento gradiente verticale) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o ( 100).hot tag : wafer inp substrato inp wafer di fosfuro di indio substrato di fosfuro di indio prezzo del wafer in entrata produttori di fosfuro di indio
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wafer di insb
xiamen powerway offre insb wafer - indium antimonide che sono cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come EPI-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).hot tag : wafer di insb insb substrato wafer di antimonio di indio substrato di antimonio di indio proprietà antimonio di indio prezzo del wafer insb
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inas wafer
xiamen powerway offre inas wafer - arseniuro di indio cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).hot tag : inas wafer substrato inas wafer di arsenuro di indio substrato di arsenuro di indio semiconduttore di arsenuro di indio struttura di arsenide di indio
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gap gap
Xiamen powerway offre gap wafer - fosfuro di gallio cresciuto da lec (liquido czochralski incapsulato) come grado epi-ready o meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).