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wafer di incisione
il wafer di incisione ha le caratteristiche di bassa rugosità, buona lucentezza e costo relativamente basso e sostituisce direttamente il wafer lucido o il wafer epitassiale che ha costi relativamente alti per produrre gli elementi elettronici in alcuni campi, per ridurre i costi. ci sono wafer di bassa rugosità, bassa riflettività e alta riflettività.hot tag : wafer di incisione wafer di silicio ad incisione MEMS incisione al plasma processo di incisione PECVD
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nanofabbricazione
pam-xiamen offre una lastra di fotoresist con fotoresist siamo in grado di offrire la nanolitografia (fotolitografia): preparazione della superficie, applicazione di fotoresist, cottura morbida, allineamento, esposizione, sviluppo, cottura dura, sviluppo di ispezioni, incisione, rimozione fotoresist (striscia), ispezione finale.hot tag : fotolitografia nanofabbricazione fabbricazione di wafer fotoresist produzione di semiconduttori produzione di wafer
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wafer inp
xiamen powerway offre inp wafer - indio fosfuro cresciuti con lec (liquido incapsulato czochralski) o vgf (congelamento gradiente verticale) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o ( 100).hot tag : wafer inp substrato inp wafer di fosfuro di indio substrato di fosfuro di indio prezzo del wafer in entrata produttori di fosfuro di indio
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wafer di insb
xiamen powerway offre insb wafer - indium antimonide che sono cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come EPI-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).hot tag : wafer di insb insb substrato wafer di antimonio di indio substrato di antimonio di indio proprietà antimonio di indio prezzo del wafer insb
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inas wafer
xiamen powerway offre inas wafer - arseniuro di indio cresciuti da lec (czochralski incapsulato liquido) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).hot tag : inas wafer substrato inas wafer di arsenuro di indio substrato di arsenuro di indio semiconduttore di arsenuro di indio struttura di arsenide di indio
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wafer gasb
xiamen powerway offre wafer gasb - gallio antimonide cresciuto da lec (czochralski liquido incapsulato) come Epi-ready o grado meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100) -
gap gap
Xiamen powerway offre gap wafer - fosfuro di gallio cresciuto da lec (liquido czochralski incapsulato) come grado epi-ready o meccanico con n tipo, tipo p o semi-isolante con orientamento diverso (111) o (100).
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