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wafer indio a semiconduttore

2017-12-21

wafer indio a semiconduttore

substrato di wafer substrato-indio arsenide
quantità Materi al o io entazione. diametro thicknes S polacco resistività genere drogante nc mob ilità EPD
pezzi (Mm) (Um) Ω · cm \u0026 EMSP; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 Inas ( 110 ) 40 500 ssp n /un p (1-9) e17 n / a n / a
1-100 Inas ( 100 ) 50,8 450 ssp n / a p 1e17 / cc n / a \u0026 Lt; 20000
1-100 Inas ( 100 ) 50,8 400 ssp n / a n / s 5e18-2e19 \u0026 Gt; 6,000 \u0026 Lt; 1E4
1-100 Inas ( 100 ) 50,8 400 dsp n / a n / s 5e18-2e19 \u0026 Gt; 6,000 \u0026 Lt; 1E4
1-100 Inas (111) b 50,8 n / a ssp n / a n / s (1-3) E18 n / a n / a
1-100 Inas ( 100 ) 50,8 n / a ssp n / a n / TE 1e16 / cc n / a n / a
1-100 Inas ( 100 ) 50,8 400 dsp n / a p (1-9) E18 / cc n / a n / a
1-100 Inas ( 100 ) 3x3x5 n / a n / a n / a n / a 3e16 / cc n / a n / a
come fornitore di wafer inas, offriamo una lista di wafer per il vostro riferimento, se avete bisogno di dettagli sui prezzi, si prega di contattare il nostro team di vendita


Nota:

*** come produttore, accettiamo anche piccole quantità per ricercatore o fonderia.

*** tempo di consegna: dipende dalle scorte che abbiamo, se abbiamo magazzino, possiamo spedire a voi presto.

fosfuro di substrato-indio di wafer inp
quantità materia l orientamento. diam eter sp ess polacco resistività genere drogante nc mobi lità EPD
pezzi (Mm) (Um) Ω · cm \u0026 EMSP; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 inp ( 111 ) 25,4 300 n / a n / a n / a \u0026 Lt; 3e16 \u0026 Gt; 3500 \u0026 Lt; 3E4
1-100 inp ( 100 ) 50,8 400 ± 10 ssp n / a n / (5-50) E15 n / a \u0026 Lt; 20000
1-100 inp ( 111 ) 50,8 400 ± 10 ssp n / a p / Zn ~ 1e19 n / a \u0026 Lt; 20000
1-100 inp ( 100 ) 50,8 400 ssp n / a n / ~ 5e17 n / a n / a
1-100 inp (111) un 50,8 n / a n / a n / a p / Zn ~ 5e18 n / a n / a
1-100 inp (111) ± 0.5 ° 50,8 350 ssp \u0026 Gt; 1E7 non drogato (1-10) E7 \u0026 Gt; 2000 \u0026 Lt; 3E4
1-100 inp (100) / (111) 50,8 350-400 ssp n / a n (1-3) E18 n / a n / a
1-100 inp ( 111 ) 50,8 500 ± 25 ssp n / a non drogato n / a n / a n / a
1-100 inp (111) un 50,8 500 ssp \u0026 Gt; 1E7 non drogato n / a n / a n / a
1-100 inp (111) un 50,8 500 ± 25 ssp n / a non drogato n / a n / a n / a
1-100 inp (111) b 50,8 500 ± 25 ssp n / a non drogato n / a n / a n / a
1-100 inp ( 110 ) 50,8 400 ± 25 ssp n / a p / zn n / s n / a n / a n / a
1-100 inp ( 110 ) 50,8 400 ± 25 dsp n / a p / zn n / s n / a n / a n / a
1-100 inp (110) ± 0.5 50,8 400 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp (100) ± 0.5 50,8 350 ± 25 ssp n / a p / Zn n / a n / a n / a
1-100 inp n / a 50,8 500 n / a n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp (111) b 50,8 400 ± 25 n / a \u0026 Gt; 1E4 n / TE n / a n / a n / a
1-100 inp (211) b 50,8 400 ± 25 n / a \u0026 Gt; 1E4 n / TE n / a n / a n / a
1-100 inp (311) b 50,8 400 ± 25 n / a \u0026 Gt; 1E4 n / TE n / a n / a n / a
1-100 inp ( 111 ) 50,8 n / a ssp n / a n (1-9) E18 n / a n / a
1-100 inp n / a 50,8 4000 ± 300 n / a n / a n / a non drogato n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 50,8 500 ± 25 ssp n / a n / s (1-9) E18 n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 50,8 500 ± 25 ssp n / a n / s ~ 3e17 n / a n / a
1-100 inp (100) / (111) 76.2 600 ssp n / a n (1-3) E18 n / a n / a
1-100 inp (100) ± 0.5 76.2 600 ± 25 ssp n / a non drogato \u0026 Lt; 3e16 \u0026 Gt; 3500 \u0026 Lt; 3E4
1-100 inp ( 100 ) 76.2 400-600 dsp n / a non drogato / fe n / a n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 ssp n / a n / a n / s n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 76.2 675 ± 25 dsp n / a n / a (3-6) E18 n / a n / a
1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 dsp n / a n / a 2.00e + 18 e n / a
1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 dsp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp ( 111 ) 10x10 500 ± 25 ssp n / a non drogato n / a n / a n / a
1-100 inp n / a 30-40 n / a n / a n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 inp (100) 2 ° off +/- 0,1 gradi t.n. (110) 50 ± 0,2 500 ± 20 ssp ≥1e7 Si / Fe n / a ≥2000 ≤5000
come fornitore di wafer inp, offriamo la lista di wafer inp per il vostro riferimento, se avete bisogno di dettagli sui prezzi, si prega di contattare il nostro team di vendita


Nota:

*** come produttore, accettiamo anche piccole quantità per ricercatore o fonderia.

*** tempo di consegna: dipende dalle scorte che abbiamo, se abbiamo magazzino, possiamo spedire a voi presto.

substrato wafer substrato-indio antimonio
quantità Materiale Orientation ionico. diametro di spessore ness polacco resistività tipo drogante nc mobilit y EPD
pezzi (Mm) (Um) Ω · cm \u0026 EMSP; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 InSb ( 100 ) 50,8 500 ssp n / a n / non drogato \u0026 Lt; 2e14 n / a n / a
1-100 InSb ( 100 ) 50,8 500 n / a n / a n / a n / a n / a n / a
come fornitore di wafer di insb, offriamo la lista di wafer di insb per il vostro riferimento, se avete bisogno di dettagli sui prezzi, vi preghiamo di contattare il nostro team di vendita


Nota:

*** come produttore, accettiamo anche piccole quantità per ricercatore o fonderia.

*** tempo di consegna: dipende dalle scorte che abbiamo, se abbiamo magazzino, possiamo spedire a voi presto.








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