Che cosa sta cercando?

luna@powerwaywafer.com

powerwaymaterial@gmail.com 

casa / lista dei wafer /

wafer di semiconduttore di gallio

lista dei wafer

categorie

prodotti consigliati

ultime notizie

wafer di semiconduttore di gallio

2017-12-22

wafer di semiconduttore di gallio

substrato di gaas wafer - arseniuro di galliowww.semiconductorwafers.netwww.semiconductorwafers.net
quantità Materiale orientamento. diametro spessore polacco resistività tipo drogante nc mobilità EPD
pezzi (Mm) (Um) Ω · cm \u0026 EMSP; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 GaAs ( 100 ) 25,4 4000 ± 50 dsp \u0026 Gt; 1E7 non drogato n / a n / a \u0026 Lt; 1E5
1-100 GaAs ( 100 ) 50,7 350-370 ssp \u0026 Gt; 1E7 non drogato n / a \u0026 Gt; 3500 \u0026 Lt; 10000
1-100 GaAs (100) 2 ° ± 0,50 off verso (011) 50,7 350 ± 10 ssp (0,8-9) e -3 n / SI (8) e17 2000-3000 \u0026 Lt; 5000
1-100 GaAs (100) 6 ° ± 0,50 off verso (011) 50,7 350 ± 20 ssp (0,8-9) × 10 -3 n / SI (0,2-4) E18 ≥1000 ≤5000
1-100 GaAs ( 100 ) 50,8 350 ssp n / a p / Zn (1-5) E19 n / a \u0026 Lt; 5000
1-100 GaAs ( 100 ) 50,8 5000 ± 50 ssp \u0026 Gt; 1e8 non drogato n / a n / a n / a
1-100 GaAs ( 100 ) 50,8 4000 ± 50 ssp \u0026 Gt; 1E7 non drogato n / a n / a n / a
1-100 GaAs ( 100 ) 50,8 8000 ± 10 come tagliato \u0026 Gt; 1E7 non drogato n / a n / a n / a
1-100 GaAs ( 100 ) 50,8 8000 ± 10 dsp \u0026 Gt; 1E7 non drogato n / a n / a n / a
1-100 GaAs (100) 2 ° 50,8 3000 ssp \u0026 Gt; 1E7 n / SI n / a n / a n / a
1-100 GaAs ( 100 ) 50,8 350 ± 25 ssp \u0026 Gt; 1E7 n / a (1-5) E19 n / a n / a
1-100 GaAs ( 100 ) 50,8 350 ± 25 ssp n / a n / a (0,4-3,5) E18 ≥1400 ≤100
1-100 GaAs (100) 0 ° o 2 ° 76.2 130 ± 20 dsp n / a non drogato n / a n / a \u0026 Lt; 10000
1-100 GaAs (100) 2 ° ± 0.50 76.2 350 ± 25 ssp n / a n / SI (0,4-2,5) E18 n / a ≤5000
1-100 GaAs ( 100 ) 76.2 350 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 GaAs ( 100 ) 76.2 350 ± 25 ssp \u0026 Gt; 1E7 non drogato n / a n / a ≤ 8e4 o 1e4
1-100 GaAs ( 100 ) 76.2 625 ± 25 dsp \u0026 Gt; 1E7 non drogato n / a ≥4500 ≤ 8e4 o 1e4
1-100 GaAs (100) 2 ° ± 0,10 off verso (110) 76.2 500 ssp \u0026 Gt; 1E7 non drogato n / a n / a n / a
1-100 GaAs (100) 2 ° 100 625 dsp \u0026 Gt; 1E7 non drogato n / a n / a n / a
1-100 GaAs (100) 2 ° 100 625 ± 25 dsp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 GaAs (100) 2 ° ± 0,50 off verso (011) 100 350 ± 25 ssp n / a n / SI (0,4-3,5) E18 n / a ≤5000
1-100 GaAs (100) 2 ° ± 0,10 off verso (110) 100 625 ± 25 dsp (1-4) E18 non drogato n / a n / a n / a
1-100 GaAs (100) 2 ° ± 0,50 off verso (011) 100 625 ± 25 dsp (1.0-4.0) 1e8 non drogato n / a n / a n / a
1-100 GaAs (100) 2 ° ± 0,50 off verso (011) 100 625 ± 25 dsp (1-4) e8 non drogato n / a n / a n / a
1-100 GaAs (100) 2 ° ± 0,50 off verso (011) 100 350 ± 25 ssp n / a n / SI (0,4-4) E18 n / a ≤5000
1-100 GaAs (100) 15 ° ± 0,50 off verso (011) 100 350 ± 25 ssp n / a n / SI (0,4-4) E18 n / a ≤5000
1-100 GaAs (100) 2 ° ± 0.50 100 350 ± 25 dsp n / a n / SI (0,4-4) E18 n / a ≤5000
1-100 GaAs (100) 2 ° ± 0.50 100 625 ± 25 ssp (1-4) E18 non drogato n / a n / a n / a
1-100 GaAs (100) 2 ° ± 0.50 150 675 ± 25 dsp \u0026 Gt; 1E7 non drogato n / a n / a n / a
1-100 GaAs (100) 0 ° ± 3.0 ° 150 675 ± 25 dsp \u0026 Gt; 1,0 × 107 non drogato n / a n / a n / a
1-100 GaAs ( 310 ) 50.8 / 76.2 n / a n / a n / a n / a n / a n / a n / a

come fornitore di wafer wafer, offriamo la lista dei semiconduttori gaas per il vostro riferimento, se avete bisogno di dettagli sui prezzi, vi preghiamo di contattare il nostro team di vendita

Nota:

*** come produttore, accettiamo anche piccole quantità per ricercatore o fonderia.

*** tempo di consegna: dipende dalle scorte che abbiamo, se disponiamo di magazzino, possiamo spedire a breve. *** Offriamo gaas epitaxy servizio di mbe e mocvd, si prega di contattare con il nostro team di vendita.


substrato di wafer gasb - gallio antimonide
quantità Materiale orientamento. diametro spessore polacco resistività tipo drogante nc mobilità EPD
pezzi (Mm) (Um) Ω · cm \u0026 EMSP; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 GASB (100) ± 0.5 50,8 500 ± 25 ssp n / a TE 1e17 - 5e18 n / a \u0026 Lt; 1000
1-100 GASB (111) una ± 0.5 50,8 500 ± 25 ssp n / a TE 1e17 - 5e18 n / a \u0026 Lt; 1000
1-100 GASB (111) b 50,8 n / a n / a n / a TE (5-8) e17 n / a n / a
1-100 GASB (111) b 50,8 n / a n / a n / a non drogato nessuna n / a n / a
1-100 GASB (100) ± 0.5 50,8 500 ssp n / a p / (1-5) e17cm-3 n / a n / a
1-100 GASB (100) ± 0.5 50,8 500 ssp n / a n / (1-5) e17cm-3 n / a n / a
1-100 GASB (100) ± 0.5 50,8 500 ssp n / a n / TE (1-8) e17 / (2-7) e16 n / a \u0026 Lt; 1000
1-100 GASB ( 100 ) 50,8 450 ± 25 ssp n / a n / a (1-1.2) e17 n / a n / a
1-100 GASB ( 100 ) 50,8 350 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 GASB ( 100 ) 76,8 500-600 n / a n / a non drogato nessuna n / a n / a
1-100 GASB ( 100 ) 100 800 ± 25 dsp n / a p / Zn n / a n / a n / a
1-100 GASB ( 100 ) 100 250 ± 25 n / a n / a p / ZnO n / a n / a n / a

come fornitore di wafer gasb, offriamo la lista dei semiconduttori gasb per il vostro riferimento, se avete bisogno di dettagli sui prezzi, si prega di contattare il nostro team di vendita


Nota:

*** come produttore, accettiamo anche piccole quantità per ricercatore o fonderia.

*** tempo di consegna: dipende dalle scorte che abbiamo, se abbiamo magazzino, possiamo spedire a voi presto.


substrato di gap wafer - posfuro di gallio
quantità Materiale orientamento. diametro spessore polacco resistività tipo drogante nc mobilità EPD
pezzi (Mm) (Um) Ω · cm \u0026 EMSP; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 divario ( 111 ) 50 5000 ± 20 ssp n / a n n / a n / a n / a
1-100 divario (111) ± 0.5 ° 50 ± 0.5 300 ± 20 n / a n / a S (2 ~ 7) × 1e17 ≥100 \u0026 Lt; 3 × 1E5
1-100 divario (111) ± 0.5 ° 50 ± 0.5 300 ± 20 n / a n / a TE (1 ~ 2) × 1e17 ≥100 \u0026 Lt; 3 × 1E5

come fornitore di gap gap, offriamo una lista di semiconduttori per il vostro riferimento, se avete bisogno di dettagli sui prezzi, contattate il nostro team di vendita


Nota:

*** come produttore, accettiamo anche piccole quantità per ricercatore o fonderia.

*** tempo di consegna: dipende dalle scorte che abbiamo, se abbiamo magazzino, possiamo spedire a voi presto.





Contattaci

se desideri un preventivo o maggiori informazioni sui nostri prodotti, ti preghiamo di lasciarci un messaggio, ti risponderemo il prima possibile.