wafer di silicio
substrato di silicio-silicio | ||||||||||
quantità | Materiale | Orienta zione. | Diam er | thickne ss | polacco | resisti VITY | ty pe drogante | nc | mobi lità | EPD |
pezzi | (Mm) | (micron ) | Ω · cm | \u0026 EMSP; | A / cm 3 | centimetro 2 / vs | /centimetro 2 | |||
1-100 | SI | n / a | 25,4 | 280 | ssp | 1-100 | p / b | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | n / a | 25,4 | 280 | ssp | 1-100 | p / b | (1-200) e16 | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 25,4 | 525 | n / a | \u0026 Lt; 0,005 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 25,4 | 525 ± 25 | ssp | \u0026 Lt; 0,005 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | si con ossido strato | (100) | 25,4 | 525 ± 25 | ssp | \u0026 Lt; 0,005 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 25,4 | 350-500 | ssp | 1 ~ 10 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 25,4 | 400 ± 25 | p / e | \u0026 Lt; 0,05 | p / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 50,4 | 400 ± 25 | p / e | \u0026 Lt; 0,05 | p / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | p-si con 90 nm SiO2 | (100) | 50,4 | 500 ± 25 | p / e | \u0026 Lt; 0,05 | p / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | n-si con 90 nm SiO2 | (100) | 50,4 | 500 ± 25 | p / e | \u0026 Lt; 0,05 | n / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | p-si con 285 nm sio2 | (100) | 50,4 | 500 ± 25 | p / e | \u0026 Lt; 0,05 | n / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | n-si con 285 nm sio2 | (100) | 50,4 | 500 ± 25 | p / e | \u0026 Lt; 0,05 | n / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | si con elettrodi | (100) | 50,8 | 400 | n / a | \u0026 Lt; 0,05 | n / p | 1e14-1e15 | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 50,8 | 275 | ssp | 1 ~ 10 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 50,8 | 275 ± 25 | ssp | 1 ~ 10 | n / p | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (111) | 50,8 | 350 ± 15 | ssp | \u0026 Gt; 10000 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 50,8 | 430 ± 15 | ssp | 5000-8000 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (111) | 50,8 | 410 ± 15 | ssp | 1 ~ 20 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (111) | 50,8 | 400-500 | ssp | \u0026 Gt; 5000 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 50,8 | 525 ± 25 | ssp | 1 ~ 50 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 50,8 | 500 ± 25 | ssp | 1 ~ 10 | n p | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 50,8 | 500 ± 25 | p / p | \u0026 Gt; 700 | p / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 76.2 | 400 ± 25 | p / e | \u0026 Lt; 0,05 | p / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | p-si con 90 nm SiO2 | (100) | 76.2 | 500 ± 25 | p / e | \u0026 Lt; 0,05 | p / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | n-si con 90 nm SiO2 | (100) | 76.2 | 500 ± 25 | p / e | \u0026 Lt; 0,05 | n / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | p-si con 285 nm sio2 | (100) | 76.2 | 500 ± 25 | p / e | \u0026 Lt; 0,05 | n / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | n-si con 285 nm sio2 | (100) | 76.2 | 500 ± 25 | p / e | \u0026 Lt; 0,05 | n / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 625 | ssp | \u0026 Gt; 10000 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 525 | ssp | n / a | n / p | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 320 | ssp | \u0026 Gt; 2500ohm · cm | p / b | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | n / a | ssp | 10 ~ 30 | n / p | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 505 ± 25 | ssp | 0,005-0,20 | n / p-drogato | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 381 | ssp | 0,005-0,20 | n / p-drogato | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 525 | dsp | 1-100 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 525 | dsp | 1-100 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 625 ± 25 | ssp | 0,001-0,004 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | si con ossido strato 3000a | (100) | 100 | 675 ± 25 | ssp | 0,001-0,004 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 625 ± 25 | ssp | 0,001-0,004 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | n / a | ssp | n / a | p / b | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 500 ± 25 | ssp | 1 ~ 25 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 500 | ssp | 1 ~ 10 | p / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 500 ± 25 | p / e | 1-10 | n / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 500/525 ± 25 | p / p | 1-10 | n / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 500/525 ± 25 | n / a | n / a | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 100 | 500 ± 25 | p / p | \u0026 Gt; 700 | p / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 150 | 675 ± 25 | n / a | 0,001-0,004 | p / b | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 150 | 675 ± 25 | n / a | 0,001-0,004 | p / b | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) / (111) | 150 | 550 ~ 650 | dsp | n / a | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) / (111) | 150 | 600-700 | ssp | \u0026 Lt; 0.5 | n / a | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (111) | 150 | 400 ± 25 | dsp | \u0026 Lt; 50 | n / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 150 | 545 | p / e | 1-3 | n / | n / a | n / a | n / a |
1-100 | SI | (100) | 200 | 725 ± 25 | ssp | 1 ~ 25 | p / | n / a | n / a | n / a |
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