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Dipendenza dalla temperatura di legame del diodo laser GaInAsP / InP cresciuto su substrato InP / Si con legame idrofilo diretto
Antenne fotoconduttive altamente efficienti che utilizzano strati di GaAs cresciuti a bassa temperatura ottimali e substrati di Si
Imaging non distruttivo senza contatto della densità di drogaggio e della resistività elettrica dei wafer di Si semiconduttore mediante carrierografia lock-in

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InGaN sic wafer Wafer epitassiale 4h-sic gan epitassia substrato gan wafer epitassiali substrato gasb struttura epitassiale a diodi laser wafer al germanio nitruro di gallio

Dipendenza dalla temperatura di legame del diodo laser GaInAsP / InP cresciuto su substrato InP / Si con legame idrofilo diretto

2019-Feb-19

Le caratteristiche di laser legate alla temperatura di legame del diodo laser GaInAsP (LD) di 1,5 μm coltivate su un legame diretto Substrato InP o Substrato di Si sono stati ottenuti con successo. Abbiamo fabbricato il InP substrato o Si substrato utilizzando una tecnica di legame di wafer idrofilo diretto a temperature di legame di 350, 400 e 450 ° C e depositato GaInAsP o Livelli di doppia eter...

InP substrato Livelli di doppia eterostruttura InP Substrato di Si
Antenne fotoconduttive altamente efficienti che utilizzano strati di GaAs cresciuti a bassa temperatura ottimali e substrati di Si

2019-Mar-05

Abbiamo migliorato l'efficienza delle antenne fotoconduttive (PCA) utilizzando GaAs cresciuto a bassa temperatura (LT-GaAs). Abbiamo scoperto che le proprietà fisiche degli strati fotoconduttivi LT-GaAs influenzano notevolmente le caratteristiche di generazione e rilevamento delle onde terahertz (THz). Nella generazione THz, l'elevata mobilità dei portatori fotoeccitati e la presenza di alcuni clu...

Substrato GaAs strati di GaAs a bassa temperatura LT-GaAs
Imaging non distruttivo senza contatto della densità di drogaggio e della resistività elettrica dei wafer di Si semiconduttore mediante carrierografia lock-in

2019-Mar-12

Un metodo di imaging non distruttivo senza contatto per la concentrazione di drogante risolta spazialmente, [2.2] N d, e la resistività elettrica, ρ, di wafer di silicio di tipo n e pviene presentato l'utilizzo di immagini carrierografiche lock-in a varie intensità di irradiazione laser. Le informazioni sull'ampiezza e sulla fase provenienti da siti di wafer con resistività nota sono state impiega...

wafer semiconduttore wafer di silicio di tipo p semiconduttore

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