Un metodo di imaging non distruttivo senza contatto per la concentrazione di drogante risolta spazialmente, [2.2] N d, e la resistività elettrica, ρ, di wafer di silicio di tipo n e pviene presentato l'utilizzo di immagini carrierografiche lock-in a varie intensità di irradiazione laser. Le informazioni sull'ampiezza e sulla fase provenienti da siti di wafer con resistività nota sono state impiegate per derivare un fattore di calibrazione per la determinazione accurata della velocità di generazione del vettore assoluto. Per estrarre le immagini della densità del drogante è stato utilizzato un modello nel dominio della frequenza basato sulla natura non lineare dei segnali radiometrici del fotoportante. Le variazioni laterali della resistività di un wafer di tipo n e di tipo p ottenute mediante questa metodologia sono risultate in ottimo accordo con quelle ottenute con misure convenzionali con sonda a 4 punti. Questo metodo completamente ottico senza contatto può essere utilizzato come strumento non distruttivo per le misurazioni della densità di drogaggio e della resistività elettrica e le loro immagini su grandi aree di semiconduttori. Nd,

Fonte: IOPscience

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