nell'ultimo decennio, i composti iii-n hanno attratto molto interesse a causa delle loro applicazioni nell'optoelettronica blu, viola e ultravioletta. la maggior parte dei dispositivi e della ricerca usano zaffiro come substrato per l'epitassia dei nitruri. tuttavia, queste epi-strutture contengono una densità di dislocazione molto elevata indotta dalla mancata corrispondenza del reticolo del 16% ...
uno strato di tappatura di grafite è stato valutato per proteggere la superficie di wafer epitassiali 4h-sic modellati e impiantati selettivamente durante la ricottura post-impianto. Il fotoresistivo az-5214e è stato centrifugato e cotto sotto vuoto a temperature comprese tra 750 e 850 ° c per formare un rivestimento continuo su superfici planari e mesa-incise con caratteristiche fino a 2 μm di al...
pam-xiamen coltiva lingotti di cristallo singolo antimonio di gallio (gasb) di alta qualità. abbiamo anche tondo, segato, tagliato e lucidato i wafer gasb e possiamo fornire una qualità di superficie epi-ready. il gasb di cristallo è un composto formato da 6n puri ga e da elemento sb ed è cresciuto mediante il metodo incapsulato czochralski (lec) con epd \u0026 lt; 1000 cm -3. il cristallo gasb ha...
in questo articolo esaminiamo gli sviluppi della produzione di wafer non polari (cioè piano m e piano piano) e semi-polari (cioè piano 20.1) con metodo ammonotermico. vengono descritti il metodo di crescita e i risultati di lucidatura. siamo riusciti a produrre wafer non- e semi-polari da 26 mm × 26 mm. questi wafer possiedono eccezionali proprietà strutturali e ottiche, con densità di dislocazi...
array di wafer-scala di pb ordinato (zr0.2ti0.8) o3 nanodischi e nanorili sono stati fabbricati sull'intera area (10 mm × 10 mm) dell'elettrodo di fondo srruo3 su un substrato srtio3 monocristallino utilizzando la litografia dell'interferenza laser (lil) processo combinato con deposizione laser pulsata. la forma e le dimensioni delle nanostrutture sono state controllate dalla quantità di pzt depos...
abbiamo studiato i livelli di energia di transizione dei difetti di vacanza nel nitruro di gallio mediante un approccio di teoria funzionale della densità ibrida (dft). mostriamo che, in contrasto con le previsioni di un recente studio sul livello di dft puramente locale, l'inclusione di uno scambio schermato stabilizza lo stato di carica tripla positiva dell'azoto vacante per energie fermi vicino...
i recenti progressi nella crescita su si di epitaxial sic film sono presi in considerazione. vengono discussi i metodi classici di base attualmente utilizzati per la crescita dei film sic e vengono esaminati i loro vantaggi e svantaggi. vengono dati l'idea di base e lo sfondo teorico per un nuovo metodo di sintesi di film epitaxial sic su si. verrà mostrato che il nuovo metodo è significativam...
è ancora una grande sfida per i dispositivi basati su semiconduttori ottenere un grande effetto di magnetoresistenza (mr) sotto un basso campo magnetico a temperatura ambiente. in questo documento, gli effetti della fotoindotta in diverse intensità di illuminazione a temperatura ambiente vengono analizzati in a arseniuro di gallio semi-isolante ( si-GaAs ) basato su ag / si-gaas / ag. il dispositi...
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