xiamen powerway (pam-xiamen), uno dei principali sviluppatori e produttori di wafer epitassiali compositi a semiconduttore che forniscono wafer con struttura laser da 808 nm algainp / gaas. strato Materiale X y ceppo tolleranza pl spessore genere livello \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; (Ppm) (Nm) (Um) \u0026 EMSP; (Cm-3) 8 GaAs \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; 0.1 p \u0026 Gt; 2.00e19 7 guadagno (x) p 0.49 \u0026 EMSP; +/- 500 \u0026 EMSP; 0.05 p \u0026 EMSP; 6 [Al (x) ga] a (y) p 0.3 0.49 +/- 500R \u0026 EMSP; 1 p \u0026 EMSP; 5 guadagno (x) p 0.49 \u0026 EMSP; +/- 500 \u0026 EMSP; 0.5 u / d \u0026 EMSP; 4 GaAs (x) p 0.86 \u0026 EMSP; +/- 500 798 0,013 u / d \u0026 EMSP; 3 guadagno (x) p 0.49 \u0026 EMSP; +/- 500 \u0026 EMSP; 0.5 u / d \u0026 EMSP; 2 [Al (x) ga] a (y) p 0.3 0.49 +/- 500 \u0026 EMSP; 1 n \u0026 EMSP; 1 GaAs \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; 0.5 n \u0026 EMSP; substrato gaas \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; n \u0026 EMSP; fonte: pam-xiamen per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net , S scrivici un'email a luna@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
possiamo offrire 4 \"gaas mhemt epi wafer (gaas mbe epiwafer), per favore vedi sotto struttura tipica: n + in0.53ga0.47as 20nm (n = 1x10 ^ 19 cm ^ -3) n + in etch stopper 5nm (n = 5x10 ^ 18 cm ^ -3) i- in0.52al0.48a barriera schottky 10nm si-delta-doping (n = 6x10 ^ 12 cm ^ -2) i- in0.52al0.48 come spacer 4nm i-in0.53ga0.47 canale 15nm in0.52al0.48 buffer 300nm buffer metamorfico 300nm (graduato linearmente dal substrato a in0.53ga0.47as) S.I. Gaas Substra TE fonte: semiconductorwafers.net per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net , mandaci una email a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com.
possiamo offrire 4 \"gaas hemt epi wafer, per favore vedi sotto struttura tipica: 1) 4 \"s substrato gaas con orientamento [100], 2) [buffer] superlattice di al (0.3) ga (0.7) come / gaas con spessori 10/3 nm, ripetere 170 volte, 3) barriera al (0,3) ga (0,7) come 400 nm, 4) quantum well gaas 20 nm, 5) spacer al (0.3) ga (0.7) come 15 nm, 6) delta-doping con si per creare densità di elettroni 5-6 * 10 ^ 11 cm ^ (- 2), 7) barriera al (0,3) ga (0,7) come 180 nm, 8) cappuccio livello strato 15 nm. fonte: semiconductorwafers.net per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net , mandaci una email a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
algainp led sepcification chip wafer led arancio substrato: \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; p + GaAs \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; p-gap \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; p-AlGaInP \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; MQW \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; n-AlGaInP \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; dbr n-AlGaAs / ahimè \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; buffer \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; substrato gaas \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; ·patata fritta sepcification (base su chip 7mil * 7mil) parametro \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; dimensione del chip 7mil (± 1 mil) * 7mil (± 1mil) spessore 7mil (± 1mil) elettrodo p u / l \u0026 EMSP; n elettrodo au \u0026 EMSP; struttura ad esempio destro mostrato · Ottica-elctric personaggi \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; parametro condizione min. tip max. unità tensione diretta io f = 10μa 1.35 ┄ ┄ v Tensione inversa io f = 20mA ┄ ┄ 2.2 v corrente inversa v = 10v ┄ ┄ 2 micron lunghezza d'onda io f = 20mA 565 ┄ 575 nm mezza larghezza d'onda io f = 20mA ┄ 10 ┄ nm ·intensità luminosa personaggi \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; \u0026 EMSP; codice di luminosità la libbre lc ld Le lf lg LH iv (mcd) 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40 40-50 50-60 fonte: semiconductorwafers.net per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net , mandaci una email a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
algainp viene utilizzato nella produzione di diodi a emissione luminosa di colore rosso, arancio, verde e giallo ad alta luminosità, per formare l'eterostruttura che emette luce. è anche usato per fare laser a diodi. Lo strato di algainp viene spesso coltivato mediante eteroepitassia su arseniuro di gallio o fosfuro di gallio allo scopo di formare una struttura di pozzo quantico. specifiche di wafer algainp su chip wafer algainp led per chip articolo no.:pam-cayg1101 dimensioni: tecnica di crescita - mocvd materiale di substrato: arseniuro di gallio conduzione del substrato: n tipo Diametro: 2\" ● dimensioni del chip: 1) dimensione del chip: dimensione frontale: 8mil (± 1mil) × 8mil (± 1mil) lato posteriore: 9mil (± 1mil) × 9mil (± 1mil) 2) spessore del truciolo: 7mil (± 1mil) 3) dimensione del pad: 4mil (± 0.5mil) 4) struttura: vedi 1-1 ● proprietà fotoelettriche parametro condizione min. tip. max. unità tensione diretta ( VF1 ) if = 10μa 1.35 ﹎ ﹎ v tensione diretta ( VF2 ) if = 20mA ﹎ ﹎ 2.2 v Tensione inversa ( lr ) vr = 10v ﹎ ﹎ 2 uA dominante lunghezza d'onda ( λ d) if = 20mA 565 ﹎ 575 nm FWHM ( Δλ ) if = 20mA ﹎ 10 ﹎ nm ● intensità luminosa: codice lc ld Le lf lg LH Li iv (mcd) 20-30 25-35 30-35 35-50 40-60 50-70 60-80 band gap di algainp teso sul substrato gaas in questo tutorial vogliamo studiare le lacune di banda di alxgayin1-x-yp su un substrato di Gaas. i parametri del materiale sono presi da parametri di banda per semiconduttori composti iii-v e loro leghe io. vurgaftman, j.r. meyer, l.r. ram-mohan j. appl. Phys. 89 (11), 5815 (2001) per capire l'effetto dello sforzo sulla banda proibita sui singoli componenti di questo quaternario, esaminiamo prima gli effetti su 1) alp teso tensilely riguardo a GaAs 2) gap teso tensilely riguardo a GaAs 3) inp teso compressivo riguardo a GaAs 4) al X ga 1-x p teso tensilely riguardo a GaAs 5) ga X in 1-x p teso riguardo a GaAs 6) al X in 1-x p teso riguardo a GaAs 7) al 0.4 ga 0.6 p teso tensilely riguardo a GaAs 8) ga 0.4 in 0.6 p teso compressivo riguardo a GaAs 9) al 0.4 in 0.6 p teso compressivo riguardo a GaAs ogni strato di materiale ha una lunghezza di 10 nm nella simulazione. gli strati di materiale 4), 5) e 6) variano linearmente il contenuto della sua lega: 4) al X ga 1-x p da 10 nm a 20 nm da x = 0,0 a x = 1,0 5) ga X in 1-x p da 30 nm a 40 nm da x = 0,0 a x = 1,0 6) al X in 1-x p da 50 nm a 60 nm da x = 1,0 a x = 0,0 indice di rifrazione di algainp fonte: pam-xiamen per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net , S scrivici un'email a luna@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
possiamo offrire 2 \"gaas / algaas / gaas epi wafer, vedere sotto la struttura tipica: s.no parametri specificazioni 1 substrato gaas spessore dello strato 500μm 2 strato spessore 2μm 3 strato superiore di Gaas spessore 220 nm 4 frazione molare di al (x) 0.7 5 livello di doping intrinseco fonte: semiconductorwafers.net per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net , mandaci una email a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
possiamo offrire 2 \"wafer epi alinp / gaas come segue: 2 \"alinp epi layer: epi layer: 1-3um, substrato di Gaas: 2 \"dimensione, orientamento (100) o (110), n tipo o semi-isolante, spessore: 300-500um, lato singolo lucido. esempio qe misura di una cella solare a tripla giunzione: fonte: semiconductorwafers.net per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net , mandaci una email a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
possiamo offrire 2 \"wafer gainp / inp epi come segue: 2 \"gainp epi layer: thickness: 1um, ga: in = 1: 1, epi layer: 1-3um, supporto inp: formato 2 \", orientamento (100) o (110), tipo n o semi-isolante, spessore: 300-500um, lato singolo lucido. il fosfuro di indio di gallio (gainp), è un semiconduttore composto da indio, gallio e fosforo. è utilizzato nell'elettronica ad alta potenza e ad alta frequenza a causa della sua superiore velocità di elettroni rispetto ai più comuni silicio semiconduttori e arseniuro di gallio. è usato principalmente nella struttura del hemt, nelle strutture hbt o nella struttura del mesfet, un materiale epitassiale gainp a banda larga cresciuto su inp per aumentare l'altezza della barriera schottky del mesodet inp con i materiali di gate schottky (au e pt2si): il guadagno pseudomorfo / inp mesfet con un gate au ha un'altezza della barriera schottky di 0,54 ev e la corrente di dispersione inversa del dispositivo è 10-2 volte inferiore a quella del convenzionale mesodet inp. la transconduttanza estrinseca e intrinseca del mesfet pseudomorfo sono 66.7 e 104.2 ms / mm rispettivamente per il mesfet gainp / inp di 5 μm gate-length gainp viene anche utilizzato per la fabbricazione di celle solari ad alta efficienza utilizzate per applicazioni spaziali. ga0.5in0.5p è utilizzato come giunzione ad alta energia su celle fotovoltaiche a doppia e tripla giunzione sviluppate su gaas. Negli ultimi anni sono state mostrate celle solari tandem gainp / gaas con efficienze di am0 (incidenza della luce solare nello spazio = 1,35 kw / m2) superiori al 25%. una lega diversa di gainp, reticolo adattato ai guadagni sottostanti, viene utilizzata come cella fotovoltaica ad alta energia di giunzione gainp / gainas / ge a tripla giunzione.in combinazione con alluminio (lega di algainp) per produrre led ad alta luminosità con arancio-rosso, arancione, colori gialli e verdi. fonte: semiconductorwafers.net per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net , mandaci una email a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
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