possiamo offrire 2 \"wafer gainp / inp epi come segue:

2 \"gainp epi layer: thickness: 1um, ga: in = 1: 1, epi layer: 1-3um,

supporto inp: formato 2 \", orientamento (100) o (110), tipo n o semi-isolante, spessore: 300-500um, lato singolo lucido.

il fosfuro di indio di gallio (gainp), è un semiconduttore composto da indio, gallio e fosforo. è utilizzato nell'elettronica ad alta potenza e ad alta frequenza a causa della sua superiore velocità di elettroni rispetto ai più comuni silicio semiconduttori e arseniuro di gallio.

è usato principalmente nella struttura del hemt, nelle strutture hbt o nella struttura del mesfet, un materiale epitassiale gainp a banda larga cresciuto su inp per aumentare l'altezza della barriera schottky del mesodet inp con i materiali di gate schottky (au e pt2si): il guadagno pseudomorfo / inp mesfet con un gate au ha un'altezza della barriera schottky di 0,54 ev e la corrente di dispersione inversa del dispositivo è 10-2 volte inferiore a quella del convenzionale mesodet inp. la transconduttanza estrinseca e intrinseca del mesfet pseudomorfo sono 66.7 e 104.2 ms / mm rispettivamente per il mesfet gainp / inp di 5 μm gate-length

gainp viene anche utilizzato per la fabbricazione di celle solari ad alta efficienza utilizzate per applicazioni spaziali. ga0.5in0.5p è utilizzato come giunzione ad alta energia su celle fotovoltaiche a doppia e tripla giunzione sviluppate su gaas. Negli ultimi anni sono state mostrate celle solari tandem gainp / gaas con efficienze di am0 (incidenza della luce solare nello spazio = 1,35 kw / m2) superiori al 25%. una lega diversa di gainp, reticolo adattato ai guadagni sottostanti, viene utilizzata come cella fotovoltaica ad alta energia di giunzione gainp / gainas / ge a tripla giunzione.in combinazione con alluminio (lega di algainp) per produrre led ad alta luminosità con arancio-rosso, arancione, colori gialli e verdi.

fonte: semiconductorwafers.net

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