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wafer led giallo-verde algainp / gaas: 565-575nm

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wafer led giallo-verde algainp / gaas: 565-575nm

2017-08-03

algainp led sepcification chip


wafer led arancio  substrato:

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

p + GaAs

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

p-gap

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

p-AlGaInP

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

MQW

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

n-AlGaInP

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

dbr  n-AlGaAs / ahimè

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

buffer

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

substrato gaas

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;




·patata fritta  sepcification (base su chip 7mil * 7mil)

parametro

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

dimensione del chip

7mil (± 1 mil) * 7mil (± 1mil)

spessore

7mil (± 1mil)

elettrodo p

u / l

\u0026 EMSP;

n elettrodo

au

\u0026 EMSP;

struttura

ad esempio  destro mostrato


· Ottica-elctric  personaggi

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

parametro

condizione

min.

tip

max.

unità

tensione diretta

io f = 10μa

1.35

v

Tensione inversa

io f = 20mA

2.2

v

corrente inversa

v = 10v

2

micron

lunghezza d'onda

io f = 20mA

565

575

nm

mezza larghezza d'onda

io f = 20mA

10

nm


·intensità luminosa  personaggi

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

\u0026 EMSP;

codice di luminosità

la

libbre

lc

ld

Le

lf

lg

LH

iv (mcd)

10-15

15-20

20-25

25-30

30-35

35-40

40-50

50-60


fonte: semiconductorwafers.net


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