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modelli di gan
I prodotti del modello di pam-xiamen sono costituiti da strati cristallini di nitruro di gallio (gan), nitruro di alluminio (aln), nitruro di gallio di alluminio (algan) e nitruro di gallio indio (ingan), che si depositano su substrati di zaffiro, i modelli di carburo di silicio o di silicon.pam-xiamen consentono tempi di ciclo epitassiale più brevi del 20-50% e strati di dispositivi epitassiali di qualità superiore, con migliore qualità strutturale e maggiore conduttività termica, che possono migliorare i dispositivi nel costo, nella resa e nelle prestazioni. -
substrato gan indipendente
pam-xiamen ha stabilito la tecnologia di produzione per wafer di substrato gan indipendente (nitruro di gallio), che è per uhb-led e ld. cresciuto con tecnologia di epitassia a fase di vapore idruro (hvpe), il nostro substrato gan ha una bassa densità di difetti. -
substrato sic
pam-xiamen offre wafer in carburo di silicio a semiconduttore, 6h sic e 4h sic in diversi gradi di qualità per ricercatore e produttori industriali. abbiamo sviluppato la tecnologia di crescita del cristallo sic e la tecnologia di trattamento del cristallo sic sic, ha stabilito una linea di produzione per substrato produttore sic, che viene applicato nel dispositivo gan epitaxy, dispositivi di alimentazione, dispositivo ad alta temperatura e dispositivi optoelettronici. come azienda professionale investita dai principali produttori dei settori avanzati e ricerca materiale high-tech e istituti statali e laboratorio di semiconduttori della Cina, ci dedichiamo continuamente migliorare la qualità dei substrati attuali e sviluppare substrati di grandi dimensioni.hot tag : 4h sic 6h sic sic wafer wafer di carburo di silicio substrato di carburo di silicio prezzo sic wafer
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wafer epitassiale a base di gan
Il wafer epitassiale a base di gan (ossido di gallio) di pam-xiamen è per i diodi a emissione luminosa (LED) e diodi laser (ld) ad altissima luminosità blu e verde. -
gan hemt epitaxial wafer
i nuclei di nitruro di gallio (gan) (transistori ad alta mobilità elettronica) sono la prossima generazione della tecnologia dei transistor di potenza RF. Grazie alla tecnologia gan, pam-xiamen ora offre wafer algan / gan hemt epi su zaffiro o silicio e algan / gan su modello zaffiro . -
sic epitaxy
forniamo su misura film sottile personalizzato (carburo di silicio) sicità su substrati 6h o 4h per lo sviluppo di dispositivi in carburo di silicio. sic epi wafer viene utilizzato principalmente per diodi schottky, transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo, transistor a effetto di campo a giunzione, transistor a giunzione bipolare, tiristori, gto e gate bipolare isolato.hot tag : sic epitaxy deposizione epitassiale wafer epitassiale carburo di silicio diodo sic
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sic wafer reclaim
pam-xiamen è in grado di offrire i seguenti servizi di wafer reclaim sic.hot tag : reclaim wafer servizi di wafer servizi di recupero di wafer servizi di cubettatura di wafer elaborazione di wafer recupero di wafer
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applicazione sic
A causa delle sue proprietà fisiche ed elettroniche, il dispositivo a base di carburo di silicio è adatto per dispositivi elettronici optoelettronici, ad alta temperatura, resistenti alle radiazioni e ad alta potenza / alta frequenza, a confronto con dispositivi basati su si e gaas.hot tag : applicazione sic chip di wafer incisione su wafer proprietà del carburo di silicio mosfet al carburo di silicio
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