casa /

fotorivelatori ingas

fotorivelatori ingas
  • InGaAs photodetectors

    Material X Thickness (nm) Dopant Doping concentration InP   1000 N (Sulfur) 3.00E+16 In(x)GaAs 0.53 3000 U/D 5.00E+14 InP   500 N (Sulfur) 3.00E+16 Substrate     SI (Fe)  

primo ultimo
[  un totale di  1  pagine]

Contattaci

se desideri un preventivo o maggiori informazioni sui nostri prodotti, ti preghiamo di lasciarci un messaggio, ti risponderemo il prima possibile.