il processo per diminuire la densità di dislocazione in drogato di 3 pollici wafer inp è descritto. il processo di crescita dei cristalli è un czochralsky incapsulato liquido convenzionale (lec) ma sono stati aggiunti schermi termici per ridurre il gradiente termico nel cristallo in crescita. la forma di questi scudi è stata ottimizzata con l'aiuto di simulazioni numeriche di trasferimento di ...
nanostrutture ge sub-monostrato altamente tensioattive GASB sono stati coltivati mediante epitassia a fascio molecolare e studiati mediante microscopia a effetto tunnel a scansione ultra-sottovuoto. vengono raggiunti e studiati quattro diversi tassi di copertura di nanostrutture ge su gasb. si trova la crescita di ge su gasb segue la modalità di crescita 2d. il reticolo cristallino del sub-monos...
questo articolo propone una nuova tridimensionale (3d) fotolitografia tecnologia per un processo di micropatterning ad alta risoluzione su un substrato di fibra. Viene anche presentata una breve rassegna sulla tecnologia litografica della superficie non planare. la tecnologia proposta comprende principalmente la microfabbricazione del modulo di esposizione 3d e la deposizione a spruzzo di film res...
la densità e l'intensità di dispersione della luce dell'ossigeno precipita dentro cz silicio i cristalli sono misurati dalla tomografia a diffusione di luce. i dati numerici chiariti attraverso le misurazioni sono discussi in relazione alla quantità di ossigeno precipitato. i risultati ottenuti qui corrispondono bene con l'analisi teorica che l'ossigeno precipita causando la disper...
I singoli cristalli di GaSb drogati con Te sono studiati misurando gli effetti Hall, gli infrarossi (IR) e gli spettri di fotoluminescenza (PL). Si è trovato che il GaSb di tipo n con trasmittanza IR può essere ottenuto fino al 60% dal controllo critico della concentrazione del Te-doping e della compensazione elettrica. La concentrazione dei difetti associati all'accettore nativo è apparenteme...
Il sviluppo del mercato dei semiconduttori di potenza SiC e GaN Lo stato attuale della tecnologia e del mercato SiC e il tendenza allo sviluppo nei prossimi anni. Il mercato dei dispositivi SiC è promettente. Le vendite della barriera di Schottky i diodi sono maturati e le spedizioni MOSFET dovrebbero aumentare in modo significativo nei prossimi tre anni. Secondo gli analisti di Yole Développement...
In questo documento, utilizzando un simulatore di dispositivo elettrotermico tridimensionale completamente accoppiato, studiamo il meccanismo di degrado dell'efficienza ad alto funzionamento corrente in planari sol un Diodi emettitori di luce basati su N (GUIDATO). In particolare, è stato dimostrato il miglioramento del degrado dell'efficienza utilizzando substrati GaN conduttivi più spess...
Esame di incisione topografica e chimica a raggi X di Si: Ge singoli cristalli contenente 1,2 a% e 3,0 a% Ge, insieme con precise misurazioni dei parametri reticolari, è stato eseguito. Contrasti di diffrazione sotto forma di "quasi-cerchi" concentrici (striature), probabilmente dovuti alla distribuzione non uniforme degli atomi di Ge, sono stati osservati nei topografi di proiezione. Gl...
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