I singoli cristalli di GaSb drogati con Te sono studiati misurando gli effetti Hall, gli infrarossi (IR) e gli spettri di fotoluminescenza (PL). Si è trovato che il GaSb di tipo n con trasmittanza IR può essere ottenuto fino al 60% dal controllo critico della concentrazione del Te-doping e della compensazione elettrica. La concentrazione dei difetti associati all'accettore nativo è apparentemente bassa nel Te-drogato GaSb rispetto a quelli in GaSb non drogato e pesantemente drogato. Il meccanismo per l'alta trasmittanza IR viene analizzato considerando il processo di assorbimento ottico coinvolto nel difetto.
Fonte: IOPscience
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