Per realizzare carburo di silicio ad alte prestazioni ( SiC ) Devono essere sviluppati dispositivi di potenza, contatti ohmici a bassa resistenza a SiC di tipo p. Per ridurre la resistenza di contatto ohmica, è necessario ridurre l'altezza della barriera alle interfacce metallo / SiC o aumentare la concentrazione di drogaggio nei substrati di SiC. Poiché la riduzione dell'altezza della bar...
In questo documento, utilizzando un simulatore di dispositivo elettrotermico tridimensionale completamente accoppiato, studiamo il meccanismo di degrado dell'efficienza ad alto funzionamento corrente in planari sol un Diodi emettitori di luce basati su N (GUIDATO). In particolare, è stato dimostrato il miglioramento del degrado dell'efficienza utilizzando substrati GaN conduttivi più spess...
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