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InGaN sic wafer Wafer epitassiale 4h-sic gan epitassia substrato gan wafer epitassiali substrato gasb struttura epitassiale a diodi laser wafer al germanio nitruro di gallio

  • microstruttura di pozzi quantici ingan cresciuti su singoli cristalli e zaffiro

    2018-Jan-19

    nell'ultimo decennio, i composti iii-n hanno attratto molto interesse a causa delle loro applicazioni nell'optoelettronica blu, viola e ultravioletta. la maggior parte dei dispositivi e della ricerca usano zaffiro come substrato per l'epitassia dei nitruri. tuttavia, queste epi-strutture contengono una densità di dislocazione molto elevata indotta dalla mancata corrispondenza del reticolo del 16% ...

    InGaN Gan Algan
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