Abbiamo migliorato l'efficienza delle antenne fotoconduttive (PCA) utilizzando GaAs cresciuto a bassa temperatura (LT-GaAs). Abbiamo scoperto che le proprietà fisiche degli strati fotoconduttivi LT-GaAs influenzano notevolmente le caratteristiche di generazione e rilevamento delle onde terahertz (THz). Nella generazione THz, l'elevata mobilità dei portatori fotoeccitati e la presenza di alcuni cluster di As negli LT-GaAs sono due fattori importanti. Nel rilevamento, breve durata del vettore e assenza di una struttura policristallina negli LT-GaAssono fattori significativi. Ottimizzando queste proprietà fisiche, abbiamo migliorato la gamma dinamica totale della generazione e del rilevamento THz di 15 dB rispetto a quella ottenuta dai PCA convenzionali disponibili in commercio. Inoltre, abbiamo sostituito il substrato GaAs semi-isolante (SI-GaAs) con un substrato Si, che ha un basso assorbimento nella regione THz. Abbiamo proposto una nuova idea di includere uno strato tampone Al0.5Ga0.5As altamente isolante sul substrato Si. Infine, abbiamo confermato la fattibilità della produzione di PCA utilizzando substrati Si.

Fonte: IOPscience

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