Le vacanze di Cd nei cristalli di tellururo di zinco cadmio (CdZnTe) hanno un effetto importante sulle proprietà del cristallo. In questo documento, la distribuzione della posizione e il cambiamento di concentrazione della vacanza di Cd nel cristallo CdZnTe cresciuto mediante la crescita della soluzione in gradiente di temperatura (TGSG) sono stati studiati mediante la tecnologia di annichilazione di positroni (PAT), che si basava sulla distribuzione dell'energia potenziale e sulla densità di probabilità del positrone in il cristallo. I risultati hanno mostrato che la densità della vacanza di Cd è aumentata ovviamente dal primo congelamento alla crescita stabile dei lingotti, mentre è diminuita lungo la direzione radiale dei lingotti.
Fonte: IOPscience
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