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struttura per i fotorivelatori Ingas

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struttura per i fotorivelatori Ingas

2017-09-30

offriamo i fotorivelatori di wafer della struttura di wafer come segue:

Materiale

X

spessore  (Nm)

drogante

doping  concentrazione

inp

1000

n (zolfo)

3e16

a (x) GaAs

0.53

3000

u / d

5e14

inp

500

n (zolfo)

3e16

substrato

si (fe)

fonte: pam-Xiamen


per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.powerwaywafer.com ,

mandaci una email a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .

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