xiamen powerway advanced material co., ltd., un fornitore leader di servizi epi per la crescita di wafer laser basati su gaas e altri prodotti e servizi correlati ha annunciato che la nuova disponibilità di size 3 \"è in produzione di massa nel 2017. questo nuovo prodotto rappresenta un naturale Oltre alla linea di prodotti di pam-xiamen. dr. shaka, ha dichiarato, \"siamo lieti di offrire ai nostri clienti la struttura laser quantica, compresi molti che stanno sviluppando meglio e più affidabili per l'elemento attivo di base (sorgente di luce laser) della comunicazione in fibra ottica su Internet: la nostra struttura epitassiale a diodi laser ha eccellenti proprietà, i laser a poeti quantici si basano su arseniuro di gallio e wafer di fosfuro di indio, i laser che utilizzano pozzi quantici e i modi discreti di elettroni sono fabbricati con entrambe le tecniche di movpe e mbe, sono prodotti a una varietà di lunghezze d'onda dal regime ultravioletto a quello di regime. i laser si basano su materiali a base di nitruro di gallio, i laser a lunghezza d'onda più lunghi si basano sul design del laser a cascata quantica, i laser a pozzetti quantici hanno attirato una grande attenzione dai loro numerosi vantaggi come bassa densità di soglia, eccellente temperatura, alta velocità di modulazione e regolazione della lunghezza d'onda ecc. la disponibilità migliora i processi di crescita e wafer di boule. \" e \"i nostri clienti possono ora beneficiare della maggiore resa dei dispositivi prevista nello sviluppo di transistor avanzati su un substrato quadrato.Il nostro servizio di epi per la crescita dei wafer laser basati su gaas è naturale per i prodotti dei nostri sforzi in corso, attualmente ci dedichiamo allo sviluppo continuo più affidabile prodotti.\"
pam-Xiamen La linea di prodotti per wafer laser con gaas migliorata ha beneficiato del forte supporto tecnico, del centro universitario e del laboratorio nativo.
ora mostra un esempio come segue:
Struttura laser 808nm ingasasp / inp mqw
|
strato |
Materiale |
X |
y strain tolerance |
pl |
spessore |
genere |
livello |
|
|
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
(Ppm) |
(Nm) |
(Um) |
\u0026 EMSP; |
(Cm-3) |
|
8 |
GaAs |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
0.1 |
p |
\u0026 Gt; 2.00e19 |
|
7 |
guadagno (x) p |
0.49 |
\u0026 EMSP; |
+/- 500 |
\u0026 EMSP; |
0.05 |
p |
\u0026 EMSP; |
|
6 |
[Al (x) ga] a (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500R |
\u0026 EMSP; |
1 |
p |
\u0026 EMSP; |
|
5 |
guadagno (x) p |
0.49 |
\u0026 EMSP; |
+/- 500 |
\u0026 EMSP; |
0.5 |
u / d |
\u0026 EMSP; |
|
4 |
GaAs (x) p |
0.86 |
\u0026 EMSP; |
+/- 500 |
798 |
0,013 |
u / d |
\u0026 EMSP; |
|
3 |
guadagno (x) p |
0.49 |
\u0026 EMSP; |
+/- 500 |
\u0026 EMSP; |
0.5 |
u / d |
\u0026 EMSP; |
|
2 |
[Al (x) ga] a (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
\u0026 EMSP; |
1 |
n |
\u0026 EMSP; |
|
1 |
GaAs |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
0.5 |
n |
\u0026 EMSP; |
|
|
substrato gaas |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
n |
\u0026 EMSP; |
circa xiamen powerway advanced material co., ltd
trovato nel 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd ( pam-Xiamen ) è un produttore leader di materiali semiconduttori composti in Cina. pam-xiamen sviluppa tecnologie avanzate di crescita dei cristalli e di epitassia, processi di produzione, substrati ingegnerizzati e dispositivi a semiconduttore. Le tecnologie di pam-xiamen consentono prestazioni più elevate e una produzione a basso costo di wafer di semiconduttori.
sulla struttura laser del pozzo quantico
un laser a pozzi quantici è un diodo laser in cui la regione attiva del dispositivo è talmente stretta che si verifica il confinamento quantico. i diodi laser si formano in materiali semiconduttori composti che (a differenza del silicio) sono in grado di emettere luce in modo efficiente. la lunghezza d'onda della luce emessa da un laser a pozzi quantici è determinata dalla larghezza della regione attiva piuttosto che dalla banda proibita del materiale da cui è costruita. [1] ciò significa che lunghezze d'onda molto più lunghe possono essere ottenute da laser a pozzetti quantici piuttosto che da diodi laser convenzionali che utilizzano un particolare materiale semiconduttore. l'efficienza di un laser a pozzi quantici è anche maggiore di un diodo laser convenzionale a causa della forma graduale della sua funzione di densità di stati.
q & un
c: stiamo cercando un fornitore di wafer laser epitassiali basati su gaas per i seguenti intervalli di lunghezze d'onda: 780nm e 808nm. le dimensioni del supporto di stampa appropriate sono 2 \"o 3\" (preferito). per favore fatemi sapere se la vostra azienda ha esperienza nella fabbricazione di tali wafer laser. se sì, per favore fatemi sapere se è possibile fornire disegni generici per la nostra considerazione.
p: grazie per la tua richiesta, sì, possiamo offrire, puoi offrire una struttura?
c: grazie per il tuo feedback. si prega di trovare disegni 780nm e 808nm allegati. per favore fatemi sapere se i disegni sono a posto e fatemi sapere anche quale tipo di test da parte vostra verrà eseguito per assicurarsi che la qualità del materiale sia di tipo laser?
Struttura laser 780nm
|
strato |
Materiale |
X |
y strain tolerance |
pl |
spessore |
genere |
livello |
|
|
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
(Ppm) |
(Nm) |
(Um) |
\u0026 EMSP; |
(Cm-3) |
|
8 |
GaAs |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
0.1 |
p |
\u0026 Gt; 2.00e19 |
|
7 |
guadagno (x) p |
0.49 |
\u0026 EMSP; |
+/- 500 |
\u0026 EMSP; |
0.05 |
p |
\u0026 EMSP; |
|
6 |
[Al (x) ga] a (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
\u0026 EMSP; |
1 |
p |
\u0026 EMSP; |
|
5 |
guadagno (x) p |
0.49 |
\u0026 EMSP; |
+/- 500 |
\u0026 EMSP; |
0.5 |
u / d |
\u0026 EMSP; |
|
4 |
GaAs (x) p |
0,77 |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
770 |
\u0026 EMSP; |
u / d |
\u0026 EMSP; |
|
3 |
guadagno (x) p |
0.49 |
\u0026 EMSP; |
+/- 500 |
\u0026 EMSP; |
0.5 |
u / d |
\u0026 EMSP; |
|
2 |
[Al (x) ga] a (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
\u0026 EMSP; |
1 |
n |
\u0026 EMSP; |
|
1 |
GaAs |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
0.5 |
n |
\u0026 EMSP; |
|
|
substrato gaas |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
n |
\u0026 EMSP; |
Struttura laser 808 nm
|
strato |
Materiale |
X |
y strain tolerance |
pl |
spessore |
genere |
livello |
|
|
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
(Ppm) |
(Nm) |
(Um) |
\u0026 EMSP; |
(Cm-3) |
|
8 |
GaAs |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
\u0026 EMSP; |
0.1 |
p |
\u0026 Gt; 2.00e19 |
|
7 |
guadagno (x) p |
0.49 |
\u0026 EMSP; |
+/- 500 |
\u0026 EMSP; |
0.05 |
p |
\u0026 EMSP; |
|
6 |
[Al (x) ga] a (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500R |
\u0026 EMSP; |
1 |
p |
\u0026 EMSP; |
|
Contattacise desideri un preventivo o maggiori informazioni sui nostri prodotti, ti preghiamo di lasciarci un messaggio, ti risponderemo il prima possibile.
unisciti alla nostra comunità
| ||||||||
informazioni sui contatti
+86-592-5601 404