xiamen powerway advanced material co., ltd., un fornitore leader di ingaasn wafer e altri prodotti e servizi correlati hanno annunciato che la nuova disponibilità di taglia 2 \"è prevista per la produzione di massa nel 2017. Questo nuovo prodotto rappresenta un'aggiunta naturale alla linea di prodotti pam-xiamen.

dr. shaka, ha detto, \"siamo lieti di offrire ingaasn wafer ai nostri clienti tra cui molti che stanno sviluppando meglio e più affidabili per diodo laser. le proprietà di fotoluminescenza di ingaasn i pozzi quantici sono stati esaminati come metodo per migliorare le prestazioni dei laser a 1300 nm basati su Gaas. tra i parametri che influenzano significativamente la qualità di questo materiale, la temperatura di crescita e il rapporto in / n della lega hanno effetti particolarmente profondi. temperature di crescita sostanzialmente inferiori a quelle normalmente usate per materiali di gaas o di ingaas sembrano migliorare la qualità di questa lega, mentre in frazioni di 0,3-0,35 risultano in un compromesso accettabile tra ben ceppo quantico e qualità ottica. la disponibilità migliora i processi di crescita e wafer di boule. \"e\" i nostri clienti possono ora beneficiare della maggiore resa del dispositivo prevista nello sviluppo di transistor avanzati su un substrato quadrato. nostro ingaasn i wafer sono naturali per i prodotti dei nostri sforzi in corso, attualmente ci dedichiamo allo sviluppo continuo di prodotti più affidabili. \"

pam-xiamen è migliorato ingaasn la linea di prodotti ha beneficiato di una forte tecnologia, supportata dall'università e dal centro di laboratorio nativi.

ora mostra un esempio come segue:

circa xiamen powerway advanced material co., ltd

trovato nel 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) è un produttore leader di materiali semiconduttori composti in Cina. pam-xiamen sviluppa tecnologie avanzate di crescita dei cristalli e di epitassia, processi di produzione, substrati ingegnerizzati e dispositivi a semiconduttore. Le tecnologie di pam-xiamen consentono prestazioni più elevate e una produzione a basso costo di wafer di semiconduttori. Stiamo fabbricando vari tipi di materiali semiconduttori di tipo n drogati al silicio e-iii epi wafer basati su ga, al, in, as e p sviluppati da mbe o mocvd. forniamo strutture personalizzate per soddisfare le specifiche del cliente. si prega di contattarci per ulteriori informazioni sul prodotto o discutere una specifica struttura del livello Epi.

di ingaasn wafer

nitruro di arseniuro di indio e gallio, un nuovo semiconduttore. singoli strati e più pozzi quantici fatti di ingaasn sono stati indagati è stato trovato che un po 'di azoto può essere incorporato negli ingaas, ma l'incorporazione dell'azoto è apparentemente limitata a concentrazioni di azoto molto basse (^ 0,2%). questa concentrazione non è sufficiente per raggiungere una lunghezza d'onda di emissione di 1,3 / zm.

per ulteriori informazioni, si prega di visitare il nostro sito: http://www.semiconductorwafers.net ,

mandaci una email a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .